本发明提供了一种优化的芯片级封装工艺方法，其中，提供一第一晶圆，包括以下步骤：于第一晶圆表面形成第一沟槽结构；于第一晶圆表面形成第二沟槽结构；对第一沟槽结构和第二沟槽结构进行填充；对填充后的第一晶圆表面进行平坦化，至露出第一晶圆表面；于第一晶圆表面形成焊盘结构；将第一晶圆形成有焊盘结构的一面与一第二晶圆相键合；对第一晶圆减薄一预定厚度；于减薄后的第一晶圆表面引出金属线，进行后续封装工艺；有益效果：使用新的工艺后，可以完全屏蔽后续封装工艺金属引线对器件的影响，简化当前的工艺流程，从而减少多道工艺流程，提高产品的可靠性。