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公开(公告)号：CN119864239A
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202411975415.0
申请日：2024-12-30
Applicant: 武汉新芯集成电路股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种并联结构电容器及其故障修复方法。所述并联结构电容器中，至少一个电容支路具有与电容单元串联连接的可变电阻，所述可变电阻包括相变材料，所述可变电阻在相变材料从晶态转变为非晶态时阻值增大，在具有可变电阻的电容支路发生短路故障时，可以通过使相变材料从晶态转变为非晶态来使可变电阻阻值增大，改变相应电容支路的短路状态，实现故障修复，并且所述可变电阻不需要占用额外的衬底面积，可省去金属熔丝，避免导致制造流程繁琐，避免影响产品设计及小型化，有助于提升产品良率和生产效率。本发明提供的并联结构电容器的故障修复方法针对上述并联结构电容器，具有类似的优点。
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公开(公告)号：CN119767739A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411846576.X
申请日：2024-12-13
Applicant: 武汉新芯集成电路股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，半导体器件的制造方法包括：提供一衬底，所述衬底上形成有栅极结构；形成源极区和漏极区于所述栅极结构两侧的所述衬底中；形成应力层于所述衬底上，所述应力层覆盖所述栅极结构、所述源极区和所述漏极区；在所述源极区和/或所述漏极区上形成贯穿所述应力层的通孔；执行退火工艺。本发明的技术方案使得能够改善源/漏区的位错，以提高器件性能。
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公开(公告)号：CN119717417A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411911654.X
申请日：2024-12-23
Applicant: 武汉新芯集成电路股份有限公司
IPC: G03F9/00 , G03F1/42 , G03F1/76 , G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供了一种光罩、曝光方法及半导体器件的制造方法，所述光罩包括第一曝光图案和第二曝光图案，所述第一曝光图案和所述第二曝光图案沿同一方向延伸且尺寸不同，所述第一曝光图案包括第一对准标记，所述第二曝光图案包括第二对准标记，利用所述第一曝光图案和所述第二曝光图案对目标区域至少执行两轮曝光，相邻两轮所述曝光中所述第一对准标记与所述第二对准标记对准，从而可以利用所述光罩去除与焊垫同层的金属层，保证半导体基底结构的翘曲度正常，避免了滑片风险，同时，后续进行封装工艺时，也便于芯片切割，避免了卷刀风险。
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公开(公告)号：CN114899113B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202210459985.9
申请日：2022-04-24
Applicant: 武汉新芯集成电路股份有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本发明涉及一种键合装置及键合方法。所述键合装置包括具有空腔的键合头，所述空腔由键合头的底壁和侧壁围成，所述键合头的底壁用于吸附待键合的芯片，并将该芯片的下表面与一键合对象的上表面贴合，在进行贴合前，对所述空腔施加压力使所述键合头底壁变形，所述芯片的下表面的中间区朝向键合对象拱起，在进行贴合时，所述芯片的下表面的中间区先于边缘区与所述键合对象的上表面接触。所述键合方法在将芯片和键合对象贴合时，使所述芯片下表面的中间区先于边缘区与所述键合对象的上表面接触。相对于芯片下表面整体与键合对象直接接触，可以避免形成封闭气泡，降低键合面处出现空洞缺陷的概率，提升键合质量。
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公开(公告)号：CN119650542A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411767630.1
申请日：2024-12-03
Applicant: 武汉新芯集成电路股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/60
Abstract: 本申请提供一种封装基板、晶粒封装体及其制备方法。该封装基板包括：封装板；凸块，设置在所述封装板上且从所述封装板上凸起，所述凸块被配置为与晶粒的对应的金属接触窗连接，以将所述晶粒封装在所述封装基板上。该封装基板有利于实现封装小型化，且降低了形成晶粒封装体的成本及对晶粒的电性干扰。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119650514A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411750324.7
申请日：2022-07-27
Applicant: 武汉新芯集成电路股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H10D84/03
Abstract: 本发明涉及一种三维集成结构及其制作方法。所述制作方法中，对应于堆叠晶圆的外围区进行切边工艺，形成邻接且包围有效器件区的斜切面以及位于斜切面外侧且邻接斜切面的夹持面，从有效器件区的边缘向外，堆叠晶圆的厚度经所述斜切面逐渐降低，夹持面的倾斜度较斜切面的倾斜度小，这样在涂敷光阻层时，有效器件区和斜切面的连接区域容易被光阻层覆盖，避免形成无光阻区而影响后续工艺，利用所述夹持面，不需要将夹具夹在堆叠晶圆的顶表面，可以避免夹具对堆叠晶圆顶表面造成损伤而对有效器件区内的结构和有效器件区的面积造成不良影响，有利于满足工艺要求。所述三维集成结构可采用上述制作方法形成。
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公开(公告)号：CN119650511A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202311168510.5
申请日：2023-09-08
Applicant: 武汉新芯集成电路股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/66 , H01L21/78 , H01L21/683 , H01L25/065
Abstract: 本申请提供了一种键合方法及晶圆堆叠结构、芯片结构。所述键合方法包括提供至少一第一晶圆堆叠结构，对所述第一晶圆堆叠结构中的每个芯片区域进行测试；其中，所述第一晶圆堆叠结构包括多个键合在一起的第一晶圆；切割所述第一晶圆堆叠结构，形成与所述芯片区域对应的芯片；将所述测试确定的功能良好的所述芯片与第二晶圆键合。该方法筛选测试后确定功能良好的较少层芯片再进行进一步堆叠，键合后的多层堆叠结构可维持在较高的良率，既实现了性能，又减少了损耗。
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公开(公告)号：CN118796540B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411267340.0
申请日：2024-09-10
Applicant: 武汉新芯集成电路股份有限公司
Inventor： 杜艳强
IPC: G06F11/10 , G11C16/10 , G06F12/0882
Abstract: 本申请公开了一种校验码产生方法及存储器，该校验码产生方法先基于第一地址数据对应的且同步获取到的存储数据、编程数据，生成对应的校验码，再存储校验码至页缓冲器中与第二地址数据对应的存储空间，可以通过基于同步获取到的存储数据、编程数据生成对应的校验码，相较于基于异步获取到的存储数据、编程数据生成对应的校验码，减少了校验码的处理过程需要花费的时间，从而提高了校验码的处理效率。
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公开(公告)号：CN115831932B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202211650830.X
申请日：2022-12-21
Applicant: 武汉新芯集成电路股份有限公司
IPC: H01L23/544 , H01L21/66
Abstract: 本发明提供了一种测试结构及测试方法，所述测试结构包括：衬底；器件结构，形成于衬底上；第一金属互连线、第二金属互连线和第一焊盘，第一金属互连线与器件结构电连接，所述第二金属互连线与所述第一焊盘电连接，第一金属互连线与第二金属互连线之间断开；电迁移金属线，电迁移金属线位于第一金属互连线与第二金属互连线之间，以使得电迁移金属线在发生电迁移时，电迁移金属线分别与第一金属互连线和第二金属互连线电连接。本发明的技术方案能够在有效避免游离的正电荷和负电荷对器件结构造成损伤的同时，还能使得测试能够正常进行。
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公开(公告)号：CN119562621A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411690230.5
申请日：2024-11-22
Applicant: 武汉新芯集成电路股份有限公司
IPC: H10F39/18
Abstract: 本发明提供一种图像传感器及其制造方法，图像传感器包括：滤光层，滤光层包括第一滤光层以及第二滤光层，第一滤光层包括第一透光材料层和第二透光材料层，第二透光材料层的折射率大于第一透光材料层的折射率，第一滤光层包括第一区域、第二区域、第三区域、第四区域，位于第一区域、第二区域、第三区域、第四区域的第一滤光层具有不同的光学厚度，第一区域允许混合颜色光线中第一颜色光线以外的其他颜色光线通过，第二区域或所述第四区域允许混合颜色光线中第二颜色光线以外的其他颜色光线通过，第三区域允许混合颜色光线中第三颜色光线以外的其他颜色光线通过；第二滤光层位于第一区域、第二区域、第三区域、第四区域上方。本发明的技术方案使得极大提升了量子效率。
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