半导体器件及其制造方法

Invention Grant

Abstract:

本申请公开了一种半导体器件及其制造方法以及半导体结构。所述半导体器件包括：衬底上的有源鳍；有源鳍上的栅极结构；栅极结构的侧壁上的栅极间隔件结构；以及在有源鳍邻近栅极间隔件结构的至少一部分上的源极/漏极层。所述栅极间隔件结构包括顺序地堆叠的湿法刻蚀停止图案、含氧硅图案和除气阻止图案。

Public/Granted literature

Information query

Chinese Patent Announcement Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L27/00	由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L23/00，H01L29/00至H01L51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L25/00）
H01L27/02	.包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04	..其衬底为半导体的
H01L27/08	...只包括有一种半导体组件的
H01L27/085	....只包含场效应的组件
H01L27/088	.....有绝缘栅场效应晶体管的组件
H01L27/092	......互补MIS场效应晶体管