Invention Grant
- Patent Title: 边发射半导体激光器芯片
- Patent Title (English): Edge-emitting semiconductor laser chip
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Application No.: CN200980146859.0Application Date: 2009-10-21
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Publication No.: CN102224647BPublication Date: 2013-09-18
- Inventor: 克里斯蒂安·劳尔 , 哈拉尔德·科尼格 , 沃尔夫冈·赖尔 , 尤伟·斯特劳斯
- Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
- Applicant Address: 德国雷根斯堡
- Assignee: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
- Current Assignee: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
- Current Assignee Address: 德国雷根斯堡
- Agency: 北京弘权知识产权代理事务所
- Agent 许伟群; 郭放
- Priority: 102008058436.3 2008.11.21 DE
- International Application: PCT/DE2009/001482 2009.10.21
- International Announcement: WO2010/057455 DE 2010.05.27
- Date entered country: 2011-05-23
- Main IPC: H01S5/22
- IPC: H01S5/22 ; H01S5/042 ; H01S5/10
Abstract:
一种边发射半导体激光器芯片(1)具有：半导体本体(100)，其包括至少一个有源区(14)，在所述有源区(14)中在半导体激光器芯片(1)工作时产生电磁辐射(10)；至少一个接触带(2)，其被设置在半导体本体(100)的上侧上的盖面(1a)上；以及至少两个限制结构(4)，用于限制接触带(2)与有源区(14)之间的电流扩展，其中限制结构(4)被设置在接触带(2)的两侧。
Public/Granted literature
- CN102224647A 边发射半导体激光器芯片 Public/Granted day:2011-10-19
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