本发明公开了一种具有体接触结构的PD SOI器件，该器件的有源区包括：栅区、体区、N型源区、N型漏区、体接触区以及硅化物；所述N型源区和N型漏区相对的分别位于所述体区前部的两侧，所述体接触区位于所述体区后部一侧与所述N型源区并排，所述硅化物位于所述体接触区及所述N型源区之上并同时与它们相接触，所述栅区为倒L型，位于所述体区之上，由所述体区的后部向外引出。该器件的体接触制作在源区与栅极引出的交界处，在有效抑制浮体效应的同时，还具有不会增加芯片面积，消除了传统体接触结构增加芯片面积的缺点，并具有制造工艺简单与常规CMOS工艺相兼容等优点。