公开(公告)号：US09412430B2

公开(公告)日：2016-08-09

申请号：US14321719

申请日：2014-07-01

Applicant: SK HYNIX INC.

Inventor： Hyo-Jin Kim

IPC: H01L45/00 ,  G11C14/00 ,  G11C11/22 ,  H01L27/24 ,  G11C13/00 ,  H01L27/22 ,  G11C11/16

CPC classification number: G11C11/22 ,  G11C11/16 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/73 ,  G11C2213/76 ,  H01L27/224 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2418 ,  H01L27/2463 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/122 ,  H01L45/141 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1683

Abstract: An electronic device including a semiconductor memory is provided. The semiconductor memory includes a first electrode, a second electrode crossing the first electrode, and a variable resistance pattern positioned in an intersection region of the first electrode and the second electrode and buried in the first electrode.

Abstract translation: 提供了包括半导体存储器的电子设备。 半导体存储器包括第一电极，与第一电极交叉的第二电极和位于第一电极和第二电极的交叉区域中并被埋置在第一电极中的可变电阻图案。