公开(公告)号：CN105810533A

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201610035236.8

申请日：2016-01-19

Applicant: 则武伊势电子株式会社 ,  株式会社则武

Inventor： 龙田和典 ,  前田忠己 ,  山中美沙

IPC: H01J21/10 ,  H01J19/04

CPC classification number: H01J21/06 ,  H01J19/32 ,  H01J19/38 ,  H01J19/70 ,  H01J21/10 ,  H01J19/04

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种真空管，其为与廉价且容易取得的荧光显示管相近的结构，并且作为模拟放大器工作。本发明对象的真空管包括：释放热电子的拉伸成直线状的灯丝；与灯丝平行配置的阳极；在灯丝与阳极之间与阳极对置配置的栅极。并且，在本发明中，灯丝与栅极的间隔为0.2mm以上且0.6mm以下。

公开(公告)号：CN104979388B

公开(公告)日：2018-04-13

申请号：CN201410129139.6

申请日：2014-04-01

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 肖德元

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  B82Y10/00

CPC classification number: H01J21/06 ,  H01J9/148 ,  H01J9/24 ,  H01J9/385 ,  H01J19/28 ,  H01J19/38

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其制作方法，包括：提供衬底结构；在衬底结构上形成栅极，所述栅极全包围有中空沟道，在中空沟道与栅极之间为栅极电介质绝缘体；在栅极的两端分别形成第一绝缘体和第二绝缘体，以及分别形成源极和漏极。该半导体装置由于采用全包围栅极结构，电压控制增强，从而提高了栅极的控制能力。

公开(公告)号：CN104979388A

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201410129139.6

申请日：2014-04-01

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 肖德元

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  B82Y10/00

CPC classification number: H01J21/06 ,  H01J9/148 ,  H01J9/24 ,  H01J9/385 ,  H01J19/28 ,  H01J19/38

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其制作方法，包括：提供衬底结构；在衬底结构上形成栅极，所述栅极全包围有中空沟道，在中空沟道与栅极之间为栅极电介质绝缘体；在栅极的两端分别形成第一绝缘体和第二绝缘体，以及分别形成源极和漏极。该半导体装置由于采用全包围栅极结构，电压控制增强，从而提高了栅极的控制能力。