新型太赫兹超导调制器及调制方法

    公开(公告)号:CN105301804A

    公开(公告)日:2016-02-03

    申请号:CN201510685790.6

    申请日:2015-10-20

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种新型太赫兹超导调制器,包括由金膜构成的电极、氧化镁基片和生长在所述氧化镁基片上的氮化铌薄膜,所述氮化铌薄膜包括多个周期排列的单元结构,所述单元结构由鱼鳞状结构谐振器与双L型结构谐振器复合构成,每排所述鱼鳞状结构谐振器彼此相连后并联在两端的电极上。本发明还公开了制备上述新型太赫兹超导调制器的方法以及利用所述新型太赫兹超导调制器的调制方法。本发明结构简单、新颖,使用的超导材料氮化铌,在太赫兹波段比常规金属材料具有极低的欧姆损耗,并具有良好的调谐性能,同时可利用很小的电压实现较大的透射峰调制率,调制方法简单快捷。

    离子行为的评价方法和评价装置

    公开(公告)号:CN101842740B

    公开(公告)日:2012-02-29

    申请号:CN200880113856.2

    申请日:2008-08-26

    CPC classification number: G02F1/1309 G02F1/0081 G02F1/1337

    Abstract: 本发明提供一种离子行为的评价装置,具备:电压振荡器(17),其对液晶单元施加包含直流电压成分的电压和不包含直流电压成分的电压;残留DC电压测量部(20),其在预先确定的多个温度的每个温度下测量多组施加包含直流电压成分的电压的施加时间和施加包含直流电压成分的电压后所产生的残留DC电压的组合;速率测量部(21),其使用[数式1]进行曲线拟合,测量在每个温度下离子向液晶与取向膜之间的界面吸附的吸附速率常数和离子从界面脱离的脱离速率常数;以及能量测量部(22),其使用[数式2]进行曲线拟合,测量离子向界面吸附的吸附能量,并且使用[数式3]进行曲线拟合,测量离子从界面脱离的脱离能量。由此,提供一种求出在大的温度范围内防止影像残留的液晶材料、取向膜材料及其组合的离子行为的评价装置。[数式1][数式2][数式3]

    离子行为的评价方法和评价装置

    公开(公告)号:CN101842740A

    公开(公告)日:2010-09-22

    申请号:CN200880113856.2

    申请日:2008-08-26

    CPC classification number: G02F1/1309 G02F1/0081 G02F1/1337

    Abstract: 本发明提供一种离子行为的评价装置,具备:电压振荡器(17),其对液晶单元施加包含直流电压成分的电压和不包含直流电压成分的电压;残留DC电压测量部(20),其在预先确定的多个温度的每个温度下测量多组施加包含直流电压成分的电压的施加时间和施加包含直流电压成分的电压后所产生的残留DC电压的组合;速率测量部(21),其使用[数式1]进行曲线拟合,测量在每个温度下离子向液晶与取向膜之间的界面吸附的吸附速率常数和离子从界面脱离的脱离速率常数;以及能量测量部(22),其使用[数式2]进行曲线拟合,测量离子向界面吸附的吸附能量,并且使用[数式3]进行曲线拟合,测量离子从界面脱离的脱离能量。由此,提供一种求出在大的温度范围内防止影像残留的液晶材料、取向膜材料及其组合的离子行为的评价装置。[数式1][数式2][数式3]

    一种电磁特性可直接调型中红外半导体超材料

    公开(公告)号:CN109143617A

    公开(公告)日:2019-01-04

    申请号:CN201811053860.6

    申请日:2018-09-11

    CPC classification number: G02F1/0081 G02F1/015 G02F2001/0156

    Abstract: 本发明公开了一种电磁特性可直接调型中红外半导体超材料,其特征在于:不含衬底层,仅包括由周期分布的谐振单元和本征半导体组成的材料层,所述谐振单元为由掺杂半导体材料构建的谐振单元,谐振单元之间由所述本征半导体连接;所述谐振单元的自由载流子有效路径长度小于或等于工作波长的四分之一。本发明采用光学性质易于调控的掺杂半导体来构建周期分布的谐振单元,借助电磁共振“杠杆”原理,改变所述掺杂半导体内部自由载流子分布和浓度来影响自由载流子有效路径长度,从而来调谐所述超材料的共振波长和共振强度,是一种低损耗、高性能、可直调型的半导体超材料。

    基于超表面的光偏振控制的透反射一体式转换器

    公开(公告)号:CN108803088A

    公开(公告)日:2018-11-13

    申请号:CN201810547541.4

    申请日:2018-05-31

    CPC classification number: G02F1/0081 G02F1/0136

    Abstract: 本发明涉及一种基于超表面的光偏振控制的透反射一体式转换器,包括上层的纳米二聚体阵列和下层的衬底,衬底平面为xy轴平面,x轴垂直于y轴,两个结构材质完全相同的半导体圆柱体纳米结构间隔固定距离排列构成纳米二聚体,纳米二聚体中两个圆柱体中心连线方向为二聚体轴方向,即x轴方向;衬底平面上的纳米二聚体阵列为沿x轴、y轴周期排列的纳米二聚体阵列。可以仅仅改变入射光的偏振态,就能简单地实现超表面在高透射率和高反射率之间相互转换的目的,并且没有明显的能量损耗,在可见光和近红外波段也适用。装置简单,操作简便,应用范围广。

    一种基于多层石蜡复合相变材料的可调控三维光学隐身斗篷

    公开(公告)号:CN107085317A

    公开(公告)日:2017-08-22

    申请号:CN201710062113.8

    申请日:2017-01-31

    Inventor: 曹暾

    CPC classification number: G02F1/0081 G02F1/29

    Abstract: 本发明提供了一种基于多层石蜡复合相变材料的可调控三维光学隐身斗篷。该可调控三维光学隐身斗篷通过石蜡复合相变材料组成的表面覆盖壳层实现。其中,表面覆盖壳层为多个石蜡复合相变材料环层自下而上叠加构成,通过控制不同环层中石蜡复合相变材料的固‑液状态,可以使每层对应不同的介电常数和磁导率,获得光学隐身所需的三维介电常数和磁导率分布,让本该通过隐身斗篷区域的光线,只能绕过斗篷区域,且光线在绕过斗篷区域后恢复原来的分布,使处于斗篷区域内的物体被隐身。同时,通过循环控制每个环层中石蜡复合相变材料的固‑液状态,实现光学隐身斗篷的实时开/关性能,从而克服了光学隐身斗篷不能循环开关的缺点。

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