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公开(公告)号:CN115910604A
公开(公告)日:2023-04-04
申请号:CN202211122354.4
申请日:2022-09-15
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明为一种电介质组成物,其包含由(BaxSr(1‑x))mTa4O12表示的主成分和第一副成分,m为1.95≤m≤2.40,第一副成分为硅和锰,将电介质组成物中的主成分的含量设为100摩尔份时,电介质组成物中的硅的含量按SiO2换算为5.0~20.0摩尔份,电介质组成物中的锰的含量按MnO换算为1.0~4.5摩尔份。
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公开(公告)号:CN108467266A
公开(公告)日:2018-08-31
申请号:CN201810154874.0
申请日:2018-02-23
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , H01G4/10 , H01G4/30
CPC classification number: H01G4/1227 , C04B35/49 , C04B35/495 , C04B2235/3239 , C04B2235/3287 , H01G4/008 , H01G4/012 , H01G4/1236 , H01G4/30
Abstract: 本发明涉及一种电介质组合物、电介质元件、电子部件和层叠电子部件。一种电介质组合物,其主成分由化学式(A6-xBxCx+2D8-xO30,0≦x≦5)表示,所述A成分为从Ba、Ca和Sr中选择的至少一种元素,所述B成分为从Y、La、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中选择的至少一种元素,所述C成分为从Ti、Zr中选择的至少一种元素,所述D成分为从Nb、Ta中选择的至少一种元素,相对于100摩尔的所述主成分,包含作为第一副成分的Ge的氧化物2.50摩尔以上且20.00摩尔以下。
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公开(公告)号:CN108467266B
公开(公告)日:2021-05-18
申请号:CN201810154874.0
申请日:2018-02-23
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , H01G4/10 , H01G4/30
Abstract: 本发明涉及一种电介质组合物、电介质元件、电子部件和层叠电子部件。一种电介质组合物,其主成分由化学式(A6-xBxCx+2D8-xO30,0≦x≦5)表示,所述A成分为从Ba、Ca和Sr中选择的至少一种元素,所述B成分为从Y、La、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中选择的至少一种元素,所述C成分为从Ti、Zr中选择的至少一种元素,所述D成分为从Nb、Ta中选择的至少一种元素,相对于100摩尔的所述主成分,包含作为第一副成分的Ge的氧化物2.50摩尔以上且20.00摩尔以下。
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