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公开(公告)号：CN1188838C
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN00101177.4
申请日：2000-01-28
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G11B5/3166 , G11B5/455 , G11B2005/0016
Abstract: 一种用来试验带有一个MR元件和一个感应元件的组合型磁头的方法，包括：一个电流施加步骤，把电流施加到感应元件上，而不把外部磁场施加到磁头上；和一个测量步骤，在电流施加步骤结束之后，测量MR元件的输出特性。
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公开(公告)号：CN1326116C
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200510059932.4
申请日：2005-04-01
Applicant: TDK株式会社
IPC: G11B5/31
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3909 , G11B5/3912 , G11B5/3967 , G11B2005/3996
Abstract: 提供一种复合型薄膜磁头，包括：具有上屏蔽层、下屏蔽层和位于所述上屏蔽层和所述下屏蔽层之间的磁阻层的磁阻读取头元件，其中在磁阻层读出电流通过所述上屏蔽层和所述下屏蔽层在与所述磁阻层的表面垂直的方向流过；以及在所述磁阻读取头元件上形成的感应式写入头元件，所述感应式写入头元件具有上磁极层、记录间隙层、其端部通过所述记录间隙层与所述上磁极层的一个端部相对的下磁极层、和以在所述上磁极层和所述下磁极层之间穿过的方式形成的写线圈；所述写线圈与所述上屏蔽层之间的电容C12被调到0.1pF或更小。
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公开(公告)号：CN1677500A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN200510059932.4
申请日：2005-04-01
Applicant: TDK株式会社
IPC: G11B5/31
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3909 , G11B5/3912 , G11B5/3967 , G11B2005/3996
Abstract: 提供一种复合型薄膜磁头，包括：具有上屏蔽层、下屏蔽层和磁阻层的磁阻读取头元件，其中在磁阻层读出电流通过所述上屏蔽层和所述下屏蔽层在与所述磁阻层的表面垂直的方向流过；以及在所述磁阻读取头元件上形成的感应式写入头元件，所述感应式写入头元件具有上磁极层、记录间隙层、其端部通过所述记录间隙层与所述上磁极层的一个端部相对的下磁极层、和写线圈；所述写线圈与所述上屏蔽层之间的电容C12被调到0.1pF或更小。
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公开(公告)号：CN1262505A
公开(公告)日：2000-08-09
申请号：CN00101177.4
申请日：2000-01-28
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G11B5/3166 , G11B5/455 , G11B2005/0016
Abstract: 一种用来试验带有一个MR元件和一个感应元件的组合型磁头的方法,包括:一个电流施加步骤,把电流施加到感应元件上,而不把外部磁场施加到磁头上;和一个测量步骤,在电流施加步骤结束之后,测量MR元件的输出特性。
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公开(公告)号：CN100370522C
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：CN200510078965.3
申请日：2005-06-21
Abstract: 本发明提供了一种用于测试TMR元件的方法，该方法包括：测量步骤，通过将具有彼此不同电流值的多个感测电流馈送通过TMR元件来测量TMR元件的多个电阻；计算步骤，由所测TMR效应元件的多个电阻计算电阻变化率；和评估步骤，使用计算出的电阻变化率对TMR元件进行评估。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1728240A
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：CN200510078965.3
申请日：2005-06-21
Abstract: 本发明提供了一种用于测试TMR元件的方法，该方法包括：测量步骤，通过将具有彼此不同电流值的多个感测电流馈送通过TMR元件来测量TMR元件的多个电阻；计算步骤，由所测TMR效应元件的多个电阻计算电阻变化率；和评估步骤，使用计算出的电阻变化率对TMR元件进行评估。
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公开(公告)号：CN100367355C
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200510067701.8
申请日：2005-04-22
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G11C11/16 , G11C29/50 , G11C29/50008 , G11C2029/5006
Abstract: 一种测试TMR元件的方法，包括：初始测量所述隧道磁阻效应元件的电阻值以将所测量的电阻值提供作为第一电阻值；在从反基片侧到基片侧连续馈送通过所述隧道磁阻效应元件的电流达预定时间间隔之后，测量所述隧道磁阻效应元件的电阻值以将所测量的电阻值提供作为第二电阻值；和，通过相互比较所述第一电阻值和所述第二电阻值来评价所述隧道磁阻效应元件。
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公开(公告)号：CN100343901C
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200510054118.3
申请日：2005-03-04
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G01R33/093 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/098 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , G11B5/455 , G11B2005/0018
Abstract: 一种用来测试TMR元件的方法，包括初始测量TMR元件的电阻值以提供所测量的电阻值作为第一电阻值的步骤；在连续使电流通过TMR元件预定的时间后，测量TMR元件的电阻值以提供所测量的电阻值作为第二电阻值的步骤；以及根据TMR元件电阻变化的程度来评价TMR元件的步骤。电阻变化的程度基于第一电阻值和第二电阻值来确定。
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公开(公告)号：CN1691139A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200510067701.8
申请日：2005-04-22
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G11C11/16 , G11C29/50 , G11C29/50008 , G11C2029/5006
Abstract: 一种测试TMR元件的方法，包括：初始测量所述隧道磁阻效应元件的电阻值以将所测量的电阻值提供作为第一电阻值；在从反基片侧到基片侧连续馈送通过所述隧道磁阻效应元件的电流达预定时间间隔之后，测量所述隧道磁阻效应元件的电阻值以将所测量的电阻值提供作为第二电阻值；和，通过相互比较所述第一电阻值和所述第二电阻值来评价所述隧道磁阻效应元件。
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公开(公告)号：CN1677502A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN200510054118.3
申请日：2005-03-04
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G01R33/093 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/098 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , G11B5/455 , G11B2005/0018
Abstract: 一种用来测试TMR元件的方法，包括初始测量TMR元件的电阻值以提供所测量的电阻值作为第一电阻值的步骤；在连续使电流通过TMR元件预定的时间后，测量TMR元件的电阻值以提供所测量的电阻值作为第二电阻值的步骤；以及根据TMR元件电阻变化的程度来评价TMR元件的步骤。电阻变化的程度基于第一电阻值和第二电阻值来确定。
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