公开(公告)号：CN101684544B

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN200910205799.7

申请日：2009-09-22

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 川口行雄 ,  栗林勇

IPC: C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  C22C21/00 ,  C22C1/04 ,  G11B7/24 ,  G11B7/26

CPC classification number: C23C14/205 ,  B22F2998/00 ,  C22C1/0416 ,  C22C21/00 ,  C23C14/3414 ,  G11B7/2433 ,  G11B7/2585 ,  G11B7/266 ,  Y10T428/21 ,  B22F3/14

Abstract: 本发明提供光介质用溅射靶及其制造方法、和光介质及其制造方法。光介质用溅射靶以Al为主成分，并含有1～10at％的选自Ta和Nb中的1种或2种元素、以及0.1～10at％的Ag。光介质(100)包括基板(10)和反射层(20A、20B)，该反射层(20A、20B)设置在基板(10)上，并具有以Al为主成分、且含有1～10at％的选自Ta和Nb中的1种或2种元素、以及0.1～10at％的Ag的组成。

公开(公告)号：CN101684544A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200910205799.7

申请日：2009-09-22

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 川口行雄 ,  栗林勇

IPC: C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  C22C21/00 ,  C22C1/04 ,  G11B7/24 ,  G11B7/26

CPC classification number: C23C14/205 ,  B22F2998/00 ,  C22C1/0416 ,  C22C21/00 ,  C23C14/3414 ,  G11B7/2433 ,  G11B7/2585 ,  G11B7/266 ,  Y10T428/21 ,  B22F3/14

Abstract: 本发明提供光介质用溅射靶及其制造方法、和光介质及其制造方法。光介质用溅射靶以Al为主成分，并含有1～10at％的选自Ta和Nb中的1种或2种元素、以及0.1～10at％的Ag。光介质(100)包括基板(10)和反射层(20A、20B)，该反射层(20A、20B)设置在基板(10)上，并具有以Al为主成分、且含有1～10at％的选自Ta和Nb中的1种或2种元素、以及0.1～10at％的Ag的组成。

公开(公告)号：CN1483191A

公开(公告)日：2004-03-17

申请号：CN01821456.8

申请日：2001-11-27

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 栗林勇 ,  柴原正典 ,  宇都宫肇 ,  青井利树

IPC: G11B7/004 ,  G11B7/26

CPC classification number: G11B7/26 ,  G11B7/00 ,  G11B7/00375

Abstract: 本发明的目的是提供用于判断相变型介质是否可用作一次写入型介质的检查方法。在本发明中，将最短信号记录在具有相变型记录层的光记录介质中以便该最短信号的CNR等于或高于45dB，用其功率电平不能熔化该记录层的恒流激光束，以与记录该最短信号时相同的线速度照射记录有该最短信号的区域，并测量该最短信号的载波中的减小量。当该最短信号的载波中的减小量等于或低于20dB时，将该光记录介质判定为一次写入型介质。