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公开(公告)号：CN1110132C
公开(公告)日：2003-05-28
申请号：CN96191103.4
申请日：1996-09-13
Applicant: TDK株式会社
IPC: H03H9/25
CPC classification number: H03H3/08
Abstract: 对在压电性基板上边已形成了由已添加了铜的铝合金膜构成的电极的弹性表面波器件加以改良。在弹性表面波器件的电极中，铝合金膜中的铜元素的浓度在晶粒边界近傍比晶粒内高，故偏析于晶粒边界处。在这种弹性表面波器件的电极中，在晶粒边界处析出的不是以Al与Cu的金属间化合物的形态而是以铜元素的形态存在着的铜的浓度在晶粒边界处比晶粒内高，变成了偏析状态。形成弹性表面波器件的电极的铝合金膜的晶粒边界近傍的铜元素的浓度与晶粒内的铜元素的浓度之比大于1.6。在更为理想的形态中，这一比值大于2.2。形成于压电性基板的表面上边的电极理想的是由添加进0.5wt%～2wt%的铜的铝合金膜构成。另外，还公开了在压电性基板的表面上边形成这种电极的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1239603A
公开(公告)日：1999-12-22
申请号：CN98801385.1
申请日：1998-07-02
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H03H9/02559
Abstract: 一种声表面波器件，包括由64°旋转Y－切割铌酸锂(64LN)或36°旋转Y－切割的钽酸锂(36LT)构成的压电衬底和在其上形成的叉指电极。叉指电极包括钛缓冲金属膜和在其上形成的铝膜。在64LN衬底上，仅从选区电子衍射结果看，钛缓冲金属膜和铝膜都是单晶薄膜；在36LT衬底上，通过在钛缓冲金属膜上形成铝膜可获得取向能力强的、在(111)方向上取向的多晶铝膜。当铝膜转化成单晶或取向强的(111)取向多晶体时，都可以阻止铝原子的迁移，提高功率寿命。
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公开(公告)号：CN1205744C
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：CN98801385.1
申请日：1998-07-02
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H03H9/02559
Abstract: 提供一种声表面波器件及其制造工艺。该声表面波器件，包括由64°旋转Y-切割铌酸锂(64LN)或36°旋转Y-切割的钽酸锂(36LT)构成的压电衬底和在其上形成的叉指电极。叉指电极包括钛缓冲金属膜和在其上形成的铝膜。在64LN衬底上，仅从选区电子衍射结果看，钛缓冲金属膜和铝膜都是单晶薄膜；在36LT衬底上，通过在钛缓冲金属膜上形成铝膜可获得取向能力强的、在(111)方向上取向的多晶铝膜。当铝膜转化成单晶或取向强的(111)取向多晶体时，都可以阻止铝原子的迁移，提高功率寿命。
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公开(公告)号：CN1303538A
公开(公告)日：2001-07-11
申请号：CN99806810.1
申请日：1999-10-12
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H03H3/08 , H03H9/02543 , H03H9/02559 , H03H9/145
Abstract: 本发明的目的在于提供一种在具有近似于36度旋转Y切割的切割角的钽酸锂基片上带有电极膜的SAW装置,该电极膜包括具有改进功率耐久性的铝单晶膜。SAW装置在一个基片上带有叉指型电极。基片由38至44度旋转Y切割钽酸锂单晶建造,每根叉指型电极包括一层钛膜和一层形成在其上的铝膜,并且铝膜是仅在选择区域电子衍射分析时产生斑点的单晶膜。
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公开(公告)号：CN1109402C
公开(公告)日：2003-05-21
申请号：CN99806810.1
申请日：1999-10-12
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H03H3/08 , H03H9/02543 , H03H9/02559 , H03H9/145
Abstract: 本发明的目的在于提供一种在具有近似于36度旋转Y切割的切割角的钽酸锂基片上带有电极膜的SAW装置，该电极膜包括具有改进功率耐久性的铝单晶膜。SAW装置在一个基片上带有叉指型电极。基片由38至44度旋转Y切割钽酸锂单晶建造，每根叉指型电极包括一层钛膜和一层形成在其上的铝膜，并且铝膜是仅在选择区域电子衍射分析时产生斑点的单晶膜。
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公开(公告)号：CN1165595A
公开(公告)日：1997-11-19
申请号：CN96191103.4
申请日：1996-09-13
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H03H3/08
Abstract: 对在压电性基板上边已形成了由已添加了铜的铝合金膜构成的电极的弹性表面波器件加以改良。在弹性表面波器件的电极中，铝合金膜中的铜元素的浓度在晶粒边界近傍比晶粒内高，故偏析于晶粒边界处。在这种弹性表面波器件的电极中，在晶粒边界处析出的不是以Al与Cu的金属间化合物的形态而是以铜元素的形态存在着的铜的浓度在晶粒边界处比晶粒内高，变成了偏析状态。形成弹性表面波器件的电极的铝合金膜的晶粒边界近傍的铜元素的浓度与晶粒内的铜元素的浓度之比大于1.6。在更为理想的形态中，这一比值大于2.2。形成于压电性基板的表面上边的电极理想的是由添加进0.5wt％～2wt％的铜的铝合金膜构成。另外，还公开了在压电性基板的表面上边形成这种电极的方法。
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