公开(公告)号：CN113165361B

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN201980076522.0

申请日：2019-10-11

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 丑田智树 ,  真下倍达 ,  山崎胜彦 ,  西泽明宪 ,  饭田修治

IPC: B32B27/28 ,  B28B1/30 ,  B32B27/30

Abstract: 本公开提供一种剥离膜，其具有基材和设置于上述基材上的剥离层，上述剥离层是含有具有反应性官能团的有机硅树脂和其它聚合性成分的组合物的固化物，将通过XPS测定的上述剥离层的与上述基材侧相反一侧的表面上的硅的峰值强度设为X，将距离上述剥离层的上述表面的深度为4.1nm处的硅的峰值强度设为Y，将形成了含有90％以上聚二甲基硅氧烷的有机硅树脂层的情况下测定的硅的峰值强度设为Z时，X大于Y，X相对于Z的比率为40％以上，且Y相对于Z的比率为5～50％。

公开(公告)号：CN113165361A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201980076522.0

申请日：2019-10-11

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 丑田智树 ,  真下倍达 ,  山崎胜彦 ,  西泽明宪 ,  饭田修治

IPC: B32B27/28 ,  B28B1/30 ,  B32B27/30

Abstract: 本公开提供一种剥离膜，其具有基材和设置于上述基材上的剥离层，上述剥离层是含有具有反应性官能团的有机硅树脂和其它聚合性成分的组合物的固化物，将通过XPS测定的上述剥离层的与上述基材侧相反一侧的表面上的硅的峰值强度设为X，将距离上述剥离层的上述表面的深度为4.1nm处的硅的峰值强度设为Y，将形成了含有90％以上聚二甲基硅氧烷的有机硅树脂层的情况下测定的硅的峰值强度设为Z时，X大于Y，X相对于Z的比率为40％以上，且Y相对于Z的比率为5～50％。