-
公开(公告)号:CN115117505A
公开(公告)日:2022-09-27
申请号:CN202210276089.9
申请日:2022-03-21
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01M10/613 , H01M10/654 , H01M4/13 , H01M10/0525
Abstract: 本发明的目的在于提供散热性优异的锂离子二次电池用正极和锂离子二次电池。该锂离子二次电池用正极具有集电体和与上述集电体的至少一面相接的正极活性物质层,上述正极活性物质层包含多个正极活性物质和多个纤维状碳,上述正极活性物质层在内部具有多个空孔,上述多个纤维状碳的至少一部分通过相互交织而形成碳网,上述碳网形成于面向上述多个空孔中的任意空孔的面。
-
公开(公告)号:CN118742982A
公开(公告)日:2024-10-01
申请号:CN202280092337.2
申请日:2022-08-31
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01G4/30
Abstract: 在与内部电极层(3)交叉的截面的观察范围内,内部电极层(3)在内部包含多个内侧陶瓷颗粒(36a)。关于内侧陶瓷颗粒(36a)在内部电极层(3)内相对于内部电极层(3)的厚度方向的中央位置的相对位置,令使该相对位置与从中央位置到边缘位置对应而以0~100的数字表示相对位置的指标为Dsp。在内部电极层(3)的内部,位于Dsp为40以下、优选为30以下的区域内的内侧陶瓷颗粒(36a)的面积,为位于观察范围内的内侧陶瓷颗粒(36a)的面积的合计的50%以上。
-
公开(公告)号:CN113571284B
公开(公告)日:2024-02-27
申请号:CN202110451896.5
申请日:2021-04-26
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01F3/08 , H01F3/10 , H01F27/255
Abstract: 本发明提供一种直流重叠特性和耐压高、且抑制高温环境下的耐压的降低的电感元件等电子部件、该电子部件中使用的磁芯和构成该磁芯的复合颗粒。复合颗粒具有:大颗粒,其具有磁性;小颗粒,其直接或间接地附着于大颗粒的表面且平均粒径比大颗粒小;相互缓冲膜,其至少覆盖位于绕大颗粒周围存在的小颗粒之间的大颗粒的表面。将大颗粒的平均粒径设为R、将小颗粒的平均粒径设为r、且将相互缓冲膜的平均厚度设为t时,(r/R)为0.0012以上且0.025以下,(t/r)为大于0且0.7以下,r为12nm以上且100nm以下。
-
公开(公告)号:CN113571285B
公开(公告)日:2023-06-16
申请号:CN202110451926.2
申请日:2021-04-26
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01F3/08 , H01F3/10 , H01F27/255
Abstract: 本发明提供一种直流重叠特性和初始磁导率优异的电子部件、该电子部件中使用的磁芯和构成该磁芯的成型体。本发明的成型体的特征在于:在成型体的截面上,在能够观察到10个以上且40个以下的具有磁性的大颗粒的规定范围的视野内,具有1处以上的间隔体区域,该间隔体区域中,平均粒径比大颗粒小的1个以上的小颗粒作为间隔体存在于大颗粒彼此之间。
-
公开(公告)号:CN113571285A
公开(公告)日:2021-10-29
申请号:CN202110451926.2
申请日:2021-04-26
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01F3/08 , H01F3/10 , H01F27/255
Abstract: 本发明提供一种直流重叠特性和初始磁导率优异的电子部件、该电子部件中使用的磁芯和构成该磁芯的成型体。本发明的成型体的特征在于:在成型体的截面上,在能够观察到10个以上且40个以下的具有磁性的大颗粒的规定范围的视野内,具有1处以上的间隔体区域,该间隔体区域中,平均粒径比大颗粒小的1个以上的小颗粒作为间隔体存在于大颗粒彼此之间。
-
公开(公告)号:CN113571284A
公开(公告)日:2021-10-29
申请号:CN202110451896.5
申请日:2021-04-26
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01F3/08 , H01F3/10 , H01F27/255
Abstract: 本发明提供一种直流重叠特性和耐压高、且抑制高温环境下的耐压的降低的电感元件等电子部件、该电子部件中使用的磁芯和构成该磁芯的复合颗粒。复合颗粒具有:大颗粒,其具有磁性;小颗粒,其直接或间接地附着于大颗粒的表面且平均粒径比大颗粒小;相互缓冲膜,其至少覆盖位于绕大颗粒周围存在的小颗粒之间的大颗粒的表面。将大颗粒的平均粒径设为R、将小颗粒的平均粒径设为r、且将相互缓冲膜的平均厚度设为t时,(r/R)为0.0012以上且0.025以下,(t/r)为大于0且0.7以下,r为12nm以上且100nm以下。
-
-
-
-
-