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公开(公告)号:CN102083621A
公开(公告)日:2011-06-01
申请号:CN200980125806.0
申请日:2009-07-24
Applicant: SEB公司
IPC: B32B15/04 , B32B27/06 , B32B33/00 , B32B37/06 , A47J36/02 , A47J36/04 , A47J37/06 , A47J37/01 , A47J37/10
CPC classification number: C23C24/10 , A47J36/02 , A47J37/10 , B05D5/086 , C23C24/08 , C23C24/082 , C23C24/103 , Y10T428/12493 , Y10T428/12549 , Y10T428/12569 , Y10T428/1266 , Y10T428/12736 , Y10T428/12979 , Y10T428/21 , Y10T428/24851 , Y10T428/24917
Abstract: 本发明涉及一种物品(1),该种物品包括金属基底(2),所述金属基底(2)包括两个相互背离的面(21、22),所述面中的至少一个由陶瓷的或金属的覆层(3)覆盖。所述覆层(3)的软化点高于所述基底(2)的熔点,并且具有至少一种吸收1微米级别的波长的激光辐射的吸收组分,且所述吸收组分是所述覆层(3)的重量的至少1%。本发明还涉及用于制造所述物品(1)的方法。
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公开(公告)号:CN102083621B9
公开(公告)日:2014-08-13
申请号:CN200980125806.0
申请日:2009-07-24
Applicant: SEB公司
IPC: B32B15/04 , B32B27/06 , B32B33/00 , B32B37/06 , A47J36/02 , A47J36/04 , A47J37/06 , A47J37/01 , A47J37/10
Abstract: 本发明涉及一种物品(1),该种物品包括金属基底(2),所述金属基底(2)包括两个相互背离的面(21、22),所述面中的至少一个由陶瓷的或金属的覆层(3)覆盖。所述覆层(3)的软化点高于所述基底(2)的熔点,并且具有至少一种吸收1微米级别的波长的激光辐射的吸收组分,且所述吸收组分是所述覆层(3)的重量的至少1%。本发明还涉及用于制造所述物品(1)的方法。
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公开(公告)号:CN102083621B
公开(公告)日:2014-05-07
申请号:CN200980125806.0
申请日:2009-07-24
Applicant: SEB公司
IPC: B32B15/04 , B32B27/06 , B32B33/00 , B32B37/06 , A47J36/02 , A47J36/04 , A47J37/06 , A47J37/01 , A47J37/10
CPC classification number: C23C24/10 , A47J36/02 , A47J37/10 , B05D5/086 , C23C24/08 , C23C24/082 , C23C24/103 , Y10T428/12493 , Y10T428/12549 , Y10T428/12569 , Y10T428/1266 , Y10T428/12736 , Y10T428/12979 , Y10T428/21 , Y10T428/24851 , Y10T428/24917
Abstract: 本发明涉及一种物品(1),该种物品包括金属基底(2),所述金属基底(2)包括两个相互背离的面(21、22),所述面中的至少一个由陶瓷的或金属的覆层(3)覆盖。所述覆层(3)的软化点高于所述基底(2)的熔点,并且具有至少一种吸收1微米级别的波长的激光辐射的吸收组分,且所述吸收组分是所述覆层(3)的重量的至少1%。本发明还涉及用于制造所述物品(1)的方法。
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