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公开(公告)号:CN1045145C
公开(公告)日:1999-09-15
申请号:CN93114367.5
申请日:1993-11-08
Applicant: RCA汤姆森许可公司
Inventor: P·E·哈弗尔
Abstract: 由水平偏转电流(iy)中寄生激振效应引起的风琴管式畸变可藉在电流注入设备(200)中形成电流脉冲的方法予以压缩。电流脉冲耦合到加上高回扫脉冲电压的水平偏转绕组(Ly)的端口与线性度校正电感的低压端口之间的连接端口(100a)。线性度校正电感的高压端口(100c)连接到水平输出晶体管(Q)。电流脉冲(i2)在回扫末端起始,在扫描期间结束。调制网络(300)跨接在线性度校正电感上,用来为电流脉冲提供一个低阻抗电流通道。
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公开(公告)号:CN1076922C
公开(公告)日:2001-12-26
申请号:CN95100724.6
申请日:1995-01-24
Applicant: RCA·汤姆森许可公司
Inventor: P·E·哈弗尔
IPC: H04N3/23
CPC classification number: H04N3/233
Abstract: 调制电路(Q1)给S整形电容器(C23)提供校正电流(i2),以调制偏转线圈(LH)两端的电压,从而校正内光栅畸变。校正电流的频率低于校正内枕形或桶形畸变的行频。校正二阶内枕形或桶形畸变时,校正电流的频率高于行频。校正电流在S电容器中的方向可以与偏转电流相同或相反,从而产生增加或减少校正效果的作用。内校正量可知以调节,调节过程不受外光栅校正的影响。调制电路由偏转能激励,且不受回扫变压器(T20)的影响。
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公开(公告)号:CN1071037A
公开(公告)日:1993-04-14
申请号:CN92110173.2
申请日:1992-08-27
Applicant: RCA·汤姆森许可公司
Inventor: P·E·哈弗尔
Abstract: 借助于偏转线圈(Lh)和偏转放大器(Q2)在带有16∶9宽高比屏幕的CRT上产生可选宽高比光栅。偏转放大器(Q2)以非漂移结构耦合到偏转线圈(Lh)。这允许一开关装置通过可选择地将电感(Wb)串联连接于偏转线圈(Lh)来控制水平偏转幅度。切换装置(300)还控制其它偏转电路参数以在所选择宽高比下提供最佳光栅校正。
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公开(公告)号:CN1035650C
公开(公告)日:1997-08-13
申请号:CN92110173.2
申请日:1992-08-27
Applicant: RCA·汤姆森许可公司
Inventor: P·E·哈弗尔
Abstract: 借助于偏转线圈(Lh)和偏转放大器(Q2)在带有16∶9宽高比屏幕的CRT上产生可选宽高比光栅。偏转放大器(Q2)以非漂移结构耦合到偏转线圈(Lh)。这允许一开关装置通过可选择地将电感(Wb)串联连接于偏转线圈(Lh)来控制水平偏转幅度。切换装置(300)还控制其它偏转电路参数以在所选择宽高比下提供最佳光栅校正。
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公开(公告)号:CN1114484A
公开(公告)日:1996-01-03
申请号:CN95100724.6
申请日:1995-01-24
Applicant: RCA汤姆森许可公司
Inventor: P·E·哈弗尔
IPC: H04N3/23
CPC classification number: H04N3/233
Abstract: 调制电路(Q1)给S整形电容器(C23)提供校正电流(i2),以调制偏转线圈(LH)两端的电压,从而校正内光栅畸变。校正电流的频率低于校正内枕形或桶形畸变的行频。校正二阶内枕形或桶形畸变时,校正电流的频率高于行频。校正电流在S电容器中的方向可以与偏转电流相同或相反,从而产生增加或减少校正效果的作用。内校正量可知以调节,调节过程不受外光栅校正的影响,调制电路由偏转能激励,且不受回扫变压器(T20)的影响。
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公开(公告)号:CN1090955A
公开(公告)日:1994-08-17
申请号:CN93114367.5
申请日:1993-11-08
Applicant: RCA汤姆森许可公司
Inventor: P·E·哈弗尔
Abstract: 由水平偏转电流(iy)中寄生激振效应引起的风琴管式畸变可藉在电流注入设备(200)中形成电流脉冲的方法予以压缩。电流脉冲耦合到加上高回扫脉冲电压的水平偏转绕组(Ly)的端口与线性度校正电感的低压端口之间的连接端口(100a)。线性度校正电感的高压端口(100c)连接到水平输出晶体管(Q)。电流脉冲(i2)在回扫末端起始,在扫描期间结束。调制网络(300)跨接在线性度校正电感上,用来为电流脉冲提供一个低阻抗电流通道。
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