公开(公告)号：CN109207151B

公开(公告)日：2020-09-04

申请号：CN201810730527.8

申请日：2018-07-05

Applicant: OCI有限公司

Inventor： 柳灏成 ,  李浚银 ,  张平和 ,  金容逸 ,  朴镇

IPC: C09K13/04 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明涉及蚀刻组合物及利用其的蚀刻方法。本发明涉及蚀刻组合物、蚀刻方法及利用其的半导体器件的制造方法，更详细地涉及包含使氧化膜的蚀刻率最小化并可选择性地去除氮化膜的高选择比的化合物的蚀刻组合物及包括利用该蚀刻组合物的蚀刻工序的半导体器件的制造方法：化学式1：在所述化学式1中，n为0至4的整数，R1至R3各自独立地选自由氢、卤素、羟基、C1～C10的烷基及C3～C10的环烷基组成的组中，R1至R3中的一种以上为羟基，R4选自由氢、卤素、C1～C10的烷基及C3～C10的环烷基组成的组中，X1为‑(C(R5)(R6))m‑，m为0至3，R5及R6各自独立地选自由氢、C1～C10的烷基及C3～C10的环烷基组成的组中。

公开(公告)号：CN110021527B

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN201811547804.8

申请日：2018-12-18

Applicant: OCI有限公司

Inventor： 柳灏成 ,  李浚银 ,  张平和 ,  韩承弦

IPC: H01L21/311

Abstract: 本发明涉及蚀刻用组合物及利用其的半导体器件的制备方法。本发明涉及包含由下列化学式1表示的氨基‑硅氧烷化合物及溶剂的蚀刻用组合物，本发明的蚀刻用组合物可将氧化膜的蚀刻率最小化，而且可以选择性地除去氮化膜，对抑制对器件特性产生坏影响的微粒的产生其效果卓越。化学式1：#imgabs0#

公开(公告)号：CN109216187B

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN201810734849.X

申请日：2018-07-06

Applicant: OCI有限公司

Inventor： 柳灏成 ,  李浚银 ,  张平和 ,  金容逸 ,  朴镇

IPC: H01L21/311

Abstract: 本发明涉及蚀刻组合物、蚀刻方法及利用其的半导体器件的制造方法，更详细地涉及包含在半导体制造工序中进行湿法蚀刻时，最小化氧化膜的蚀刻率的同时能够选择性地去除氮化膜的高选择比的化合物的蚀刻组合物及包含利用该蚀刻组合物的蚀刻工序的半导体器件的制造方法。

公开(公告)号：CN110021527A

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201811547804.8

申请日：2018-12-18

Applicant: OCI有限公司

Inventor： 柳灏成 ,  李浚银 ,  张平和 ,  韩承弦

IPC: H01L21/311

Abstract: 本发明涉及蚀刻用组合物及利用其的半导体器件的制备方法。本发明涉及包含由下列化学式1表示的氨基-硅氧烷化合物及溶剂的蚀刻用组合物，本发明的蚀刻用组合物可将氧化膜的蚀刻率最小化，而且可以选择性地除去氮化膜，对抑制对器件特性产生坏影响的微粒的产生其效果卓越。化学式1：

公开(公告)号：CN109207151A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201810730527.8

申请日：2018-07-05

Applicant: OCI有限公司

Inventor： 柳灏成 ,  李浚银 ,  张平和 ,  金容逸 ,  朴镇

IPC: C09K13/04 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明涉及蚀刻组合物及利用其的蚀刻方法。本发明涉及蚀刻组合物、蚀刻方法及利用其的半导体器件的制造方法，更详细地涉及包含使氧化膜的蚀刻率最小化并可选择性地去除氮化膜的高选择比的化合物的蚀刻组合物及包括利用该蚀刻组合物的蚀刻工序的半导体器件的制造方法：化学式1：在所述化学式1中，n为0至4的整数，R1至R3各自独立地选自由氢、卤素、羟基、C1～C10的烷基及C3～C10的环烷基组成的组中，R1至R3中的一种以上为羟基，R4选自由氢、卤素、C1～C10的烷基及C3～C10的环烷基组成的组中，X1为-(C(R5)(R6))m-，m为0至3，R5及R6各自独立地选自由氢、C1～C10的烷基及C3～C10的环烷基组成的组中。

公开(公告)号：CN110028971B

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN201811523773.2

申请日：2018-12-13

Applicant: OCI有限公司

Inventor： 柳灏成 ,  金铉峻 ,  白珍珠 ,  李浚银 ,  全贤善

IPC: C09K13/06 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明涉及蚀刻组合物及利用其的蚀刻方法。本发明涉及蚀刻组合物、蚀刻方法及利用其的半导体器件的制备方法，更详细地，包含在半导体制备工序中进行湿式蚀刻的情况下，对氧化膜的蚀刻率进行最小化的同时能够选择性地去除氮化膜的高选择比的化合物的蚀刻组合物以及包括利用其蚀刻组合物的蚀刻工序的半导体器件的制备方法。

公开(公告)号：CN110028971A

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201811523773.2

申请日：2018-12-13

Applicant: OCI有限公司

Inventor： 柳灏成 ,  金铉峻 ,  白珍珠 ,  李浚银 ,  全贤善

IPC: C09K13/06 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明涉及蚀刻组合物及利用其的蚀刻方法。本发明涉及蚀刻组合物、蚀刻方法及利用其的半导体器件的制备方法，更详细地，包含在半导体制备工序中进行湿式蚀刻的情况下，对氧化膜的蚀刻率进行最小化的同时能够选择性地去除氮化膜的高选择比的化合物的蚀刻组合物以及包括利用其蚀刻组合物的蚀刻工序的半导体器件的制备方法。

公开(公告)号：CN109216187A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201810734849.X

申请日：2018-07-06

Applicant: OCI有限公司

Inventor： 柳灏成 ,  李浚银 ,  张平和 ,  金容逸 ,  朴镇

IPC: H01L21/311

Abstract: 本发明涉及蚀刻组合物、蚀刻方法及利用其的半导体器件的制造方法，更详细地涉及包含在半导体制造工序中进行湿法蚀刻时，最小化氧化膜的蚀刻率的同时能够选择性地去除氮化膜的高选择比的化合物的蚀刻组合物及包含利用该蚀刻组合物的蚀刻工序的半导体器件的制造方法。