钎料、使用该钎料的半导体装置的装配方法、以及半导体装置

    公开(公告)号:CN100404193C

    公开(公告)日:2008-07-23

    申请号:CN03821944.1

    申请日:2003-09-12

    Inventor: 森伸干 森本圭

    Abstract: 在传统的Sn/Sb型钎料中,其缺点在于:β’相中的大颗粒易于沉淀并且在元件和焊接部分易于现裂缝,并且在半导体元件的芯片焊接面上涂敷上述特殊涂层时形成空洞。本发明的钎料包括:5%至20%重量的Sb和0.01%至5%重量的Te,其余为Sn以及附带的杂质;或者,一种钎料包括:5%至20%重量的Sb、0.01%至5%重量的Te、0.001%至0.5重量的P,其余为Sn和附带的杂质。

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