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发明公开
制造有源矩阵基板的方法有权

公开(公告)号：CN101114613A

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：CN200710138616.5

申请日：2007-07-24

Applicant: NEC液晶技术株式会社

Inventor： 簗濑清志 , 土居悟史

IPC: H01L21/768 , H01L21/28 , H01L21/3105 , H01L21/311

CPC classification number: H01L21/76802 , H01L21/31116 , H01L27/124 , H01L27/1288

Abstract: 本发明提供了一种有源矩阵基板的制造方法，其中通过单掩模处理形成了多个接触孔，使得到达金属膜，该金属膜存在于绝缘层中的不同深度位置，并且通过采用含氟气体的干法蚀刻而不蒸发。所述方法包括：采用CHF3、CF4和O2的混合气体进行干法蚀刻以形成多个接触孔的步骤；对所述多个接触孔进行氧灰化的步骤；和在多个接触孔中形成透明导电膜的步骤。

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