公开(公告)号：CN100416771C

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200310116505.6

申请日：2003-11-14

Applicant: NEC液晶技术株式会社

Inventor： 上杉忠宣 ,  木村茂

IPC: H01L21/306 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027 ,  C23F1/02

CPC classification number: H01L21/6708 ,  C23F1/02 ,  C23F1/08 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/67028 ,  H05K3/068 ,  H05K2201/0317 ,  H05K2201/0338 ,  H05K2203/1476 ,  Y10S438/978

Abstract: 一种用于叠层膜的组合式湿蚀刻方法，它能够以协同方式执行蚀刻过程，同时控制叠层膜中各层膜的侧蚀刻以使得侧边形状均匀。在该湿蚀刻方法中，对顺序淀积于衬底上的包含薄膜特性各不相同的第一和第二膜的叠层膜组合执行两种或多种类型的蚀刻方法。这两种或多种类型的蚀刻方法至少包括：第一湿蚀刻方法，其中对第一膜的侧蚀刻比对第二膜的侧蚀刻更容易进行；和第二湿蚀刻方法，其中对第二膜的侧蚀刻比对第一膜的侧蚀刻更容易进行。

公开(公告)号：CN1501176A

公开(公告)日：2004-06-02

申请号：CN200310116505.6

申请日：2003-11-14

Applicant: NEC液晶技术株式会社

Inventor： 上杉忠宣 ,  木村茂

IPC: G03F7/26 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/6708 ,  C23F1/02 ,  C23F1/08 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/67028 ,  H05K3/068 ,  H05K2201/0317 ,  H05K2201/0338 ,  H05K2203/1476 ,  Y10S438/978

Abstract: 一种用于叠层膜的组合式湿蚀刻方法，它能够以协同方式执行蚀刻过程，同时控制叠层膜中各层膜的侧蚀刻以使得侧边形状均匀。在该湿蚀刻方法中，对顺序淀积于衬底上的包含薄膜特性各不相同的第一和第二膜的叠层膜组合执行两种或多种类型的蚀刻方法。这两种或多种类型的蚀刻方法至少包括：第一湿蚀刻方法，其中对第一膜的侧蚀刻比对第二膜的侧蚀刻更容易进行；和第二湿蚀刻方法，其中对第二膜的侧蚀刻比对第一膜的侧蚀刻更容易进行。