公开(公告)号：CN110383173A

公开(公告)日：2019-10-25

申请号：CN201880015884.4

申请日：2018-03-09

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 野坂直矢 ,  若松刚史 ,  阿部翼 ,  三浦一裕 ,  江原健悟 ,  中津大贵 ,  中川大树

IPC: G03F7/11 ,  C08G8/20 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够形成在平坦性优异的同时耐溶剂性、耐热性和耐蚀刻性优异的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。本发明是一种含有具有下述式(1)表示的部分结构的化合物和溶剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物。下述式(1)中，X为下述式(i)、(ii)、(iii)或(iv)表示的基团。下述式(i)中，R1和R2各自独立地为氢原子、羟基、取代或非取代的碳原子数1～20的1价的脂肪族烃基或者取代或非取代的碳原子数7～20的芳烷基，或者表示R1和R2相互结合并与它们键合的碳原子一起构成的环元数3～20的环结构的一部分。其中，不包括R1和R2为氢原子、羟基或它们的组合的情况。

公开(公告)号：CN110383173B

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN201880015884.4

申请日：2018-03-09

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 野坂直矢 ,  若松刚史 ,  阿部翼 ,  三浦一裕 ,  江原健悟 ,  中津大贵 ,  中川大树

IPC: G03F7/11 ,  C08G8/20 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够形成在平坦性优异的同时耐溶剂性、耐热性和耐蚀刻性优异的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。本发明是一种含有具有下述式(1)表示的部分结构的化合物和溶剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物。下述式(1)中，X为下述式(i)、(ii)、(iii)或(iv)表示的基团。下述式(i)中，R1和R2各自独立地为氢原子、羟基、取代或非取代的碳原子数1～20的1价的脂肪族烃基或者取代或非取代的碳原子数7～20的芳烷基，或者表示R1和R2相互结合并与它们键合的碳原子一起构成的环元数3～20的环结构的一部分。其中，不包括R1和R2为氢原子、羟基或它们的组合的情况。

公开(公告)号：CN112470077A

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN201980049161.0

申请日：2019-07-25

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 中藤慎也 ,  中津大贵 ,  谷口智章 ,  小田智博

IPC: G03F7/11 ,  C08G61/10 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的目的在于提供一种可形成蚀刻耐性、耐热性、平坦性和膜缺陷抑制性优异的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物、抗蚀剂下层膜、抗蚀剂下层膜的形成方法、图案形成方法、化合物及化合物的制造方法。本发明为一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有：具有1个或多个由下述式(1)所表示的部分结构的化合物、以及溶剂。下述式(1)中，Ar1为从取代或未取代的环元数6～30的芳烃中去除芳香族碳环上的(p+1)个氢原子而成的基团，或者从取代或未取代的环元数5～30的杂芳烃中去除芳香族杂环上的(p+1)个氢原子而成的基团。R3为乙炔二基或者取代或未取代的乙烯二基。