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公开(公告)号：CN109564788A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201780049465.8
申请日：2017-12-27
Applicant: ITM同位素技术慕尼黑股份公司
Inventor： 尤西·耶恩斯特伦 , 康斯坦丁·哲诺斯科夫 , 尤里·托茨基 , 马克·哈尔芬施特勒 , 玛丽安·梅克尔
IPC: G21G1/00
Abstract: 本发明涉及一种用于连续生产68Ga子核素的68Ge/68Ga发生器，其中其68Ge母核素被特异性吸附到无机支持材料，并且其中所述68Ge母核素以270.82d的半衰期通过电子俘获连续衰变成68Ga，其中所述无机支持材料是选自钒、铌和钽的金属的至少一种氧化物。本发明还涉及选自钒、铌和钽的金属的至少一种氧化物的用途，其作为无机支持材料用于制造68Ge/68Ga发生器，以用于制药目的。使用本发明的无机支持材料，可以使68Ge/68Ga发生器装载高达8000MBq的68Ge(对应于80μg锗)。
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