公开(公告)号：CN102918673B

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201180026480.3

申请日：2011-05-26

Applicant: ETO电磁有限责任公司

Inventor： M.劳芬伯格 ,  E.帕古尼斯 ,  A.德雷弗曼 ,  L.斯特茨

IPC: H01L41/20 ,  C30B11/00

CPC classification number: B22D23/00 ,  C30B11/00 ,  C30B11/14 ,  C30B29/52 ,  H01F1/0308 ,  H01L41/20 ,  H01L41/47

Abstract: 本发明涉及一种用于用单晶MSM-MSM体，通过将熔融后的合金材料置入型壳以及接下来使合金材料凝固，来制造具有沿第一晶轴的晶体取向的MSM-执行元件的方法，该方法具有下列步骤：设置具有成核区域(24)、选择器区域(26)以及晶体区域(28)的、至少部分沿纵轴(22)取向的型壳；将熔融后的MSM-合金材料，尤其是NiMnGa-基的合金材料，置入型壳，而不必设单独的籽晶；通过生成沿凝固路径从成核区域经由选择器区域运动进入晶体区域的凝固正面来使MSM-合金材料固化，其中，凝固路径在晶体区域中沿纵轴延伸，在选择器区域中形成了从纵轴偏转的区域，其相对纵轴的最大偏转，要大于选择器区域内的最大横截面宽度，以及纵轴(22)具有偏离第一晶轴的小于10°，优选小于6°，进一步优选小于3°的角度偏差，以及将凝固后的MSM-合金材料拆分成多个MSM-执行元件。

公开(公告)号：CN102918673A

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201180026480.3

申请日：2011-05-26

Applicant: ETO电磁有限责任公司

Inventor： M.劳芬伯格 ,  E.帕古尼斯 ,  A.德雷弗曼 ,  L.斯特茨

IPC: H01L41/20 ,  C30B11/00

CPC classification number: B22D23/00 ,  C30B11/00 ,  C30B11/14 ,  C30B29/52 ,  H01F1/0308 ,  H01L41/20 ,  H01L41/47

Abstract: 本发明涉及一种用于用单晶MSM-MSM体，通过将熔融后的合金材料置入型壳以及接下来使合金材料凝固，来制造具有沿第一晶轴的晶体取向的MSM-执行元件的方法，该方法具有下列步骤：设置具有成核区域(24)、选择器区域(26)以及晶体区域(28)的、至少部分沿纵轴(22)取向的型壳；将熔融后的MSM-合金材料，尤其是NiMnGa-基的合金材料，置入型壳，而不必设单独的籽晶；通过生成沿凝固路径从成核区域经由选择器区域运动进入晶体区域的凝固正面来使MSM-合金材料固化，其中，凝固路径在晶体区域中沿纵轴延伸，在选择器区域中形成了从纵轴偏转的区域，其相对纵轴的最大偏转，要大于选择器区域内的最大横截面宽度，以及纵轴(22)具有偏离第一晶轴的小于10°，优选小于6°，进一步优选小于3°的角度偏差，以及将凝固后的MSM-合金材料拆分成多个MSM-执行元件。