公开(公告)号：CN1871553A

公开(公告)日：2006-11-29

申请号：CN200480031172.X

申请日：2004-10-22

Applicant: EKC技术公司

Inventor： R·W·查姆 ,  D-L·周 ,  R·J·斯莫尔 ,  S·李

IPC: G03F7/42 ,  C11D7/32 ,  C11D7/34

CPC classification number: G03F7/425 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/3281 ,  C11D7/34 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/426

Abstract: 提供基于双胆碱和三胆碱化合物，如它们的氢氧化物的新的清洁化学品，以实现在使基片的任何腐蚀最小的情况下除去光致抗蚀剂和熔剂。

公开(公告)号：CN1802731A

公开(公告)日：2006-07-12

申请号：CN200480011930.1

申请日：2004-05-03

Applicant: EKC技术公司

Inventor： M·切尔纳特 ,  S·李

IPC: H01L21/306 ,  C09K3/18

CPC classification number: H01L21/02063 ,  C11D7/08 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/5004 ,  C11D11/0047 ,  C23F11/141 ,  C23F11/1676 ,  C23F11/173 ,  C23G1/061 ,  C23G1/066

Abstract: 本发明公开了一种从包含低k介电材料的衬底中清洗蚀刻残留物的方法，所述方法包括以下步骤：使衬底与包含H2SiF6或HBF4、有机溶剂、胺、腐蚀抑制剂和水的成分相接触，所述成分能够使后蚀刻残留物片状脱落并使氧化物损失最小化，并且所述成分具有低于7的pH。

公开(公告)号：CN100442449C

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200480011930.1

申请日：2004-05-03

Applicant: EKC技术公司

Inventor： M·切尔纳特 ,  S·李

IPC: H01L21/306 ,  C09K3/18

CPC classification number: H01L21/02063 ,  C11D7/08 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/5004 ,  C11D11/0047 ,  C23F11/141 ,  C23F11/1676 ,  C23F11/173 ,  C23G1/061 ,  C23G1/066

Abstract: 本发明公开了一种从包含低k介电材料的衬底中清洗蚀刻残留物的方法，所述方法包括以下步骤：使衬底与包含H2SiF6或HBF4、有机溶剂、胺、腐蚀抑制剂和水的成分相接触，所述成分能够使后蚀刻残留物片状脱落并使氧化物损失最小化，并且所述成分具有低于7的pH。