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公开(公告)号:CN106687518B
公开(公告)日:2019-04-02
申请号:CN201580048181.8
申请日:2015-09-09
Applicant: DIC株式会社 , 国立大学法人岩手大学
Abstract: 一种橡胶与金属的粘接促进剂,其特征在于,含有羧酸的金属盐(1)或者下述通式(A)所示的化合物(2),该羧酸的金属盐(1)为碳原子数2~25的脂肪族羧酸的金属盐,该金属为铋、铜、锑、银或铌,式(A)中,Z为选自下述式(z‑1)~式(z‑4)的结构,M为铋、铜、锑、银或铌,(RCOO)为碳原子数2~25的脂肪族羧酸的残基,X为(M的价数‑1)。[(R COO)xMO]3Z···(A)
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公开(公告)号:CN106687518A
公开(公告)日:2017-05-17
申请号:CN201580048181.8
申请日:2015-09-09
Applicant: DIC株式会社 , 国立大学法人岩手大学
CPC classification number: C08K5/098 , B60C1/00 , B60C9/0007 , C07C53/124 , C07C53/128 , C08K5/52 , C08K5/55 , C08L21/00
Abstract: 一种橡胶与金属的粘接促进剂,其特征在于,含有羧酸的金属盐(1)或者下述通式(A)所示的化合物(2),该羧酸的金属盐(1)为碳原子数2~25的脂肪族羧酸的金属盐,该金属为铋、铜、锑、银或铌,式(A)中,Z为选自下述式(z‑1)~式(z‑4)的结构,M为铋、铜、锑、银或铌,(RCOO)为碳原子数2~25的脂肪族羧酸的残基,X为(M的价数‑1)。[(R COO)xMO]3Z (A)。
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公开(公告)号:CN106687517A
公开(公告)日:2017-05-17
申请号:CN201580048180.3
申请日:2015-09-09
Applicant: DIC株式会社 , 国立大学法人岩手大学
CPC classification number: C08K5/098 , B60C1/00 , B60C9/0007 , C07C53/128 , C08K5/52 , C08K5/55 , C08L21/00
Abstract: 一种橡胶与金属的粘接促进剂,其特征在于,含有下述通式(A)(式中,Z为选自下述式(z‑1)~式(z‑4)的结构。M为钛或锆。(RCOO)为碳原子数2~25的脂肪族羧酸的残基。)所示的化合物(1)。
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公开(公告)号:CN117795124A
公开(公告)日:2024-03-29
申请号:CN202280044340.7
申请日:2022-06-21
Applicant: 国立大学法人岩手大学
IPC: C23C18/18
Abstract: 本发明提供一种被镀敷基板的制造方法,其具有:接合剂赋予工序,其中,将光反应性接合剂2赋予至由玻璃或硅形成的基板1的表面;照射工序,其中,将光4照射至已赋予光反应性接合剂2的基板1的表面,使基板1的表面与光反应性接合剂2接合;第一清洗工序,其中,在照射工序后通过清洗来去除未与基板1的表面接合的光反应性接合剂2;催化剂赋予工序,其中,在第一清洗工序后赋予与光反应性接合剂2键合的催化剂6;第二清洗工序,其中,在催化剂赋予工序后通过清洗来去除未与光反应性接合剂2键合的催化剂6;及镀敷工序,其中,在第二清洗工序后通过化学镀处理将导电性物质7配置在键合有催化剂6的光反应性接合剂2上。根据本发明的被镀敷基板的制造方法,即使未在基板表面形成凹凸,也能够制造形成有以具有充分的剥离强度的方式密合于由玻璃或硅形成的基板表面的镀层的被镀敷基板。
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公开(公告)号:CN117916083B
公开(公告)日:2024-12-13
申请号:CN202280060970.3
申请日:2022-12-21
Applicant: 国立大学法人岩手大学
Abstract: 本发明的层叠体的制造方法,其为具备树脂基材和设置在所述树脂基材上的金属层的层叠体的制造方法,包含:基底层形成工序,在所述树脂基材的形成所述金属层的面上,直接或隔着其他层,利用下述式(1)所示的基底用三嗪系硅烷偶联剂形成基底层;以及分子接合层形成工序,在所述基底层的表面利用下述式(2)所示的催化剂用三嗪系硅烷偶联剂形成分子接合层。
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公开(公告)号:CN117916083A
公开(公告)日:2024-04-19
申请号:CN202280060970.3
申请日:2022-12-21
Applicant: 国立大学法人岩手大学
Abstract: 本发明的层叠体的制造方法,其为具备树脂基材和设置在所述树脂基材上的金属层的层叠体的制造方法,包含:基底层形成工序,在所述树脂基材的形成所述金属层的面上,直接或隔着其他层,利用下述式(1)所示的基底用三嗪系硅烷偶联剂形成基底层;以及分子接合层形成工序,在所述基底层的表面利用下述式(2)所示的催化剂用三嗪系硅烷偶联剂形成分子接合层。
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