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公开(公告)号:CN104169285B
公开(公告)日:2016-10-26
申请号:CN201380013022.5
申请日:2013-04-04
Applicant: DIC株式会社
IPC: C07D487/22 , B82Y30/00 , C09B47/20 , C09D11/037 , C09D11/32 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/42
CPC classification number: H01L51/0078 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C07D487/22 , C09B47/065 , C09B47/0678 , C09B47/24 , C09B67/0019 , C09B67/0023 , C09B67/0026 , C09B67/0035 , C09D11/322 , C09D11/52 , H01L51/0003 , H01L51/0007 , H01L51/0545 , H01L51/4206 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明试图提供能够利用低成本的湿法制造电子元件的有机半导体材料。进而,课题在于提供不易破坏、轻量、廉价、且高特性的有机半导体电子元件。发现根据本发明,通过优化构成酞菁纳米尺寸结构体的酞菁衍生物,可以提供性能得到提高的适合于湿法的有机半导体材料,从而完成了本发明。进而,通过将该有机半导体材料用于电子元件活性部(半导体层),从而可以提供富于耐久性、且不易破坏、轻量、廉价、且高特性的电子元件。
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公开(公告)号:CN104169285A
公开(公告)日:2014-11-26
申请号:CN201380013022.5
申请日:2013-04-04
Applicant: DIC株式会社
IPC: C07D487/22 , B82Y30/00 , C09B47/20 , C09D11/037 , C09D11/32 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/42
CPC classification number: H01L51/0078 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C07D487/22 , C09B47/065 , C09B47/0678 , C09B47/24 , C09B67/0019 , C09B67/0023 , C09B67/0026 , C09B67/0035 , C09D11/322 , C09D11/52 , H01L51/0003 , H01L51/0007 , H01L51/0545 , H01L51/4206 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明试图提供能够利用低成本的湿法制造电子元件的有机半导体材料。进而,课题在于提供不易破坏、轻量、廉价、且高特性的有机半导体电子元件。发现根据本发明,通过优化构成酞菁纳米尺寸结构体的酞菁衍生物,可以提供性能得到提高的适合于湿法的有机半导体材料,从而完成了本发明。进而,通过将该有机半导体材料用于电子元件活性部(半导体层),从而可以提供富于耐久性、且不易破坏、轻量、廉价、且高特性的电子元件。
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