公开(公告)号：CN114502666B

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN201980101213.4

申请日：2019-10-09

Applicant: DIC株式会社

Inventor： 杨少伟 ,  林正道 ,  冲裕延 ,  森光太郎 ,  袁建军 ,  村田泰斗 ,  刘丞 ,  赵伟

IPC: C09C1/40 ,  C09K5/14 ,  C09K3/14 ,  C10M103/06

Abstract: 提供一种含有着色组分的片状氧化铝颗粒。一种含有钼、硅、和着色组分的片状氧化铝颗粒。一种所述片状氧化铝颗粒的制造方法，所述方法包括将含有铝元素的铝化合物、含有钼元素的钼化合物、硅或硅化合物、和着色组分混合以产生混合物并煅烧所得混合物的工序。

公开(公告)号：CN114555719B

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN201980101212.X

申请日：2019-10-09

Applicant: DIC株式会社

Inventor： 李萌 ,  高田新吾 ,  土肥知树 ,  林正道 ,  袁建军 ,  森光太郎 ,  杨少伟 ,  刘丞 ,  赵伟

IPC: C09C1/40

Abstract: 提供一种含钼(Mo)的氧化铝颗粒和设置在所述氧化铝颗粒的表面上的无机被覆部。

公开(公告)号：CN114514290B

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN201980101202.6

申请日：2019-10-09

Applicant: DIC株式会社

Inventor： 杨少伟 ,  土肥知树 ,  冲裕延 ,  袁建军 ,  刘丞 ,  李萌 ,  赵伟

IPC: C09C1/40 ,  C09K5/14 ,  C09K3/14 ,  C10M103/06 ,  C04B35/117 ,  C04B35/626 ,  C04B35/63

Abstract: 一种片状氧化铝颗粒，其中使用Cu‑Kα射线通过X射线衍射测量获得的衍射峰的对应于(006)面的在2θ＝41.6±0.3度处的峰强度I(006)与对应于(113)面的在2θ＝43.3±0.3度处的峰强度I(113)之比I(006)/I(113)为0.2以上。一种片状氧化铝颗粒的制造方法，其包括：将包含铝元素的铝化合物、包含钼元素的钼化合物和形状控制剂混合以生成混合物；和烧制混合物。

公开(公告)号：CN116761855A

公开(公告)日：2023-09-15

申请号：CN202180090456.X

申请日：2021-12-31

Applicant: DIC株式会社

Inventor： 李萌 ,  渡边孝典 ,  袁建军 ,  杨少伟 ,  李选 ,  赵伟 ,  郭健

IPC: C09C1/40

Abstract: 公开了包括氧化铝颗粒和设置在所述氧化铝颗粒的表面上的无机被覆层的复合颗粒。该氧化铝颗粒包含钼(Mo)，该无机被覆层包含复合金属氧化物。

公开(公告)号：CN116601118A

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN202080107827.6

申请日：2020-12-09

Applicant: DIC株式会社

Inventor： 杨少伟 ,  袁建军 ,  刘丞 ,  李萌 ,  赵伟 ,  郭健

IPC: C01G49/06

Abstract: 涉及具有多面体形状并且包含钼的氧化铁颗粒。该氧化铁颗粒的[110]面的晶粒尺寸优选为280nm以上。此外，涉及一种氧化铁颗粒的制造方法。该方法包括在钼化合物的存在下煅烧铁化合物。

公开(公告)号：CN114555718A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN201980101198.3

申请日：2019-10-09

Applicant: DIC株式会社

Inventor： 杨少伟 ,  林正道 ,  高田新吾 ,  袁建军 ,  刘丞 ,  赵伟

IPC: C09C1/40 ,  C09K5/14 ,  C09K3/14 ,  C10M103/06 ,  C04B35/117 ,  C04B35/626 ,  C04B35/63

Abstract: 一种氧化铝颗粒，其包括片架结构，所述片架结构包括至少三个平面氧化铝薄片，所述平面氧化铝薄片相互附着，所述氧化铝颗粒的平均粒径为1～1000μm且包含钾。

公开(公告)号：CN114514200A

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN201980101209.8

申请日：2019-10-09

Applicant: DIC株式会社

Inventor： 李萌 ,  高田新吾 ,  土肥知树 ,  袁建军 ,  刘丞 ,  赵伟 ,  杨少伟

IPC: C01F7/442 ,  C01F7/30 ,  C01B33/12

Abstract: 公开了一种复合颗粒。该复合颗粒包括具有片架结构的氧化铝颗粒，所述片架结构由三片以上的片状氧化铝形成且其中片状氧化铝的各片彼此固定；和设置在片状氧化铝的表面上的无机被覆部。

公开(公告)号：CN114555718B

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN201980101198.3

申请日：2019-10-09

Applicant: DIC株式会社

Inventor： 杨少伟 ,  林正道 ,  高田新吾 ,  袁建军 ,  刘丞 ,  赵伟

IPC: C09C1/40 ,  C09K5/14 ,  C09K3/14 ,  C10M103/06 ,  C04B35/117 ,  C04B35/626 ,  C04B35/63

Abstract: 一种氧化铝颗粒，其包括片架结构，所述片架结构包括至少三个平面氧化铝薄片，所述平面氧化铝薄片相互附着，所述氧化铝颗粒的平均粒径为1～1000μm且包含钾。

公开(公告)号：CN117397070A

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202180098596.1

申请日：2021-05-27

Applicant: DIC株式会社

Inventor： 杨少伟 ,  渡辺孝典 ,  袁建军 ,  李萌 ,  赵伟 ,  郭健

IPC: H01M4/90

Abstract: 氧化镍颗粒包含钼。在氧化镍颗粒中，钼可能不均匀地分布在氧化镍颗粒的表面层中。氧化镍颗粒的[100]面的微晶直径可为240nm或大于240nm。氧化镍颗粒的[101]面的微晶直径可为220nm或大于220nm。通过激光衍射/散射方法计算的氧化镍颗粒的中位值直径D50可为10.00μm或大于10.00μm且为1000.00μm或小于1000.00μm。一种用于生产氧化镍颗粒的方法包括在存在钼化合物的情况下煅烧镍化合物。钼化合物可为选自包括三氧化钼、钼酸锂、钼酸钾及钼酸钠的群组的至少一种化合物。在用于生产氧化镍颗粒的方法中，煅烧温度可为800℃或高于800℃且为1600℃或低于1600℃。

公开(公告)号：CN116724003A

公开(公告)日：2023-09-08

申请号：CN202180090454.0

申请日：2021-01-13

Applicant: DIC株式会社

Inventor： 李萌 ,  渡边孝典 ,  袁建军 ,  杨少伟 ,  李选 ,  赵伟 ,  郭健

IPC: C01F7/021 ,  C01F7/025

Abstract: 复合颗粒包括具有由彼此粘附的三个以上的片状氧化铝颗粒形成的片架结构的氧化铝颗粒和位于片状氧化铝颗粒的表面上并且包含复合金属氧化物的无机覆盖部。