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公开(公告)号：CN114364680B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202080061438.4
申请日：2020-10-08
Applicant: DIC株式会社
IPC: C07D495/04 , C09K19/34 , G02F1/13 , H01P1/18 , H01Q3/34
Abstract: 本发明所要解决的课题在于提供一种化合物、含有该化合物的液晶组合物和使用该液晶组合物的元件，所述化合物具有大的折射率各向异性Δn，对液晶组合物的相容性高，添加在液晶组合物中制作元件时，不易使元件的电压保持率降低。本发明提供下述通式(I)所表示的、具有噻吩并噻吩结构的化合物，并且提供含有该化合物的液晶组合物和使用该液晶组合物的元件。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN112779023B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202011082858.9
申请日：2020-10-12
Applicant: DIC株式会社
Abstract: 本发明涉及高频装置用液晶化合物。本发明要解决的课题在于提供一种在实现高Δn的同时具有宽温度范围的液晶相、粘性小、低温时的溶解性良好、电阻率、电压保持率高、对热、光稳定的组合物，进一步在于通过使用该组合物，提供高频控制效果优异、化学稳定性优异的液晶组合物、使用该液晶组合物的液晶显示元件和液晶天线。解决手段为，本申请发明提供在分子中包含NCSe结构的化合物、例如通式(i‑1)所表示的化合物，以及含有该化合物的液晶组合物和使用该液晶组合物制造的液晶显示元件和液晶天线。[化1] 。
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公开(公告)号：CN113785031B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202080033236.9
申请日：2020-05-15
Applicant: DIC株式会社
IPC: C09K11/08 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , C09D11/037 , H05B33/14
Abstract: 本发明提供一种具有发光特性优异的钙钛矿型半导体纳米晶体且稳定性较高的发光粒子及其制造方法、以及包含该发光粒子的发光粒子分散体、油墨组合物及发光元件。本发明的发光粒子的制造方法的特征在于，具有：准备母粒子91的工序，该母粒子91包含具有内侧空间912a和与内侧空间912a连通的细孔912b的中空粒子912、及容纳于内侧空间912a且具有发光性的钙钛矿型半导体纳米晶体911；以及利用疏水性聚合物被覆母粒子91的表面而形成聚合物层92的工序。
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公开(公告)号：CN106243080A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610424100.6
申请日：2016-06-15
Applicant: DIC株式会社
IPC: C07D319/06
Abstract: 本发明提供一种采用脱羧反应的羰基化合物的制造方法。本发明的课题在于提供作为医药品、农药、液晶材料等的原料、或其中间体有用的羰基化合物的高效的制造方法。作为解决手段，通过对通式(i)所表示的化合物进行脱羧反应来制造通式(ii)所表示的化合物。通过本发明的作为医药品、农药、液晶材料等的原料、或其中间体有用的羰基化合物的制造方法，能够以高收率获得通式(ii)所表示的化合物。此外，能够以高选择性获得具有顺式异构体的化合物。[化1]
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113748185B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202080031716.1
申请日：2020-05-13
Applicant: DIC株式会社
Abstract: 提供一种具有发光特性优异的钙钛矿型半导体纳米晶体且稳定性高的发光粒子及其制造方法、以及包含该发光粒子的发光粒子分散体、油墨组合物及发光元件。本发明的发光粒子的制造方法的特征在于，具有：准备母粒子91的工序，该母粒子91包含具有发光性的钙钛矿型半导体纳米晶体911、及以配位于半导体纳米晶体911的表面的配位子构成且配位子的分子彼此形成硅氧烷键的表面层912；及用疏水性聚合物被覆母粒子91的表面而形成聚合物层93的工序。
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公开(公告)号：CN112779023A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202011082858.9
申请日：2020-10-12
Applicant: DIC株式会社
Abstract: 本发明涉及高频装置用液晶化合物。本发明要解决的课题在于提供一种在实现高Δn的同时具有宽温度范围的液晶相、粘性小、低温时的溶解性良好、电阻率、电压保持率高、对热、光稳定的组合物，进一步在于通过使用该组合物，提供高频控制效果优异、化学稳定性优异的液晶组合物、使用该液晶组合物的液晶显示元件和液晶天线。解决手段为，本申请发明提供在分子中包含NCSe结构的化合物、例如通式(i‑1)所表示的化合物，以及含有该化合物的液晶组合物和使用该液晶组合物制造的液晶显示元件和液晶天线。[化1]。
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公开(公告)号：CN106967444A
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201611115055.2
申请日：2016-12-07
Applicant: DIC株式会社
IPC: C09K19/44 , G02F1/1333
CPC classification number: C09K19/44 , G02F1/1333
Abstract: 本发明所要解决的课题在于提供一种不使折射率各向异性(Δn)和向列相－各向同性液体相转变温度(Tni)降低、旋转粘性(γ1)充分小、闪烁的产生得到抑制或消除的具有绝对值大的负的介电常数各向异性(Δε)的液晶组合物，另外，提供一种使用其的响应速度快、没有烧结(IS)或显示不均等显示不良或显示不良得到抑制的显示品质优异的液晶显示元件。所述液晶组合物含有1种或2种以上的通式(a)所示的化合物和1种或2种以上的通式(ii)所示的化合物。
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公开(公告)号：CN116348570A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202180068421.6
申请日：2021-11-04
Applicant: DIC株式会社
IPC: C09K11/08
Abstract: 本发明提供一种发光性粒子的制造方法，该发光性粒子的分散性及稳定性优异且使用了由金属卤化物构成的半导体纳米晶体粒子。一种发光性粒子的制造方法，该发光性粒子在由金属卤化物构成的半导体纳米晶体粒子的表面具备含Si的表面层，该制造方法具备下述工序：从包含半导体纳米晶体粒子的原料、具有键结性基和水解性甲硅烷基的硅烷化合物A、以及溶剂的溶液形成半导体纳米晶体粒子及聚硅氧烷键，从而获得前驱物粒子的工序；将前驱物粒子、具备含有碱性基的结构单元及亲溶剂性结构单元的聚合物B、以及溶剂进行混合而获得混合物的工序；以及将具有水解性甲硅烷基的硅烷化合物C添加至混合物中，获得在前驱物粒子的表面具备包含聚合物B及硅烷化合物C的聚合物的层的发光性粒子的工序。
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公开(公告)号：CN112789344A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201980064232.4
申请日：2019-10-10
Applicant: DIC株式会社
IPC: C09K19/56 , C07C69/732 , C08F120/30 , C09K19/12 , C09K19/14 , C09K19/16 , C09K19/18 , C09K19/20 , C09K19/24 , C09K19/30 , C09K19/32 , C09K19/34 , C09K19/38 , C09K19/54 , G02F1/1337
Abstract: 本发明提供含聚合性化合物的液晶组合物及使用其的液晶显示元件、以及适于上述含聚合性化合物的液晶组合物的制备的聚合性化合物，该含聚合性化合物的液晶组合物可同时达成聚合性化合物的析出受到抑制、快的聚合速度、未反应的聚合性化合物的残留量降低、高的电压保持率(VHR)、以及高的倾斜稳定性。本发明通过提供含有1种或2种以上通式(i)所表示的聚合性化合物的液晶组合物，从而解决上述课题。
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