公开(公告)号：CN110462857B

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN201880021010.X

申请日：2018-01-31

Applicant: D-波系统公司

Inventor： 黄水源 ,  比翁·H·奥 ,  道格拉斯·P·斯塔德特勒 ,  爱德华·G·斯特普卡 ,  保罗·I·布尼克 ,  杰德·D·惠特克 ,  法比奥·阿尔托马雷 ,  理查德·G·哈里斯 ,  科林·C·恩德鲁德 ,  洛伦·J·斯温森 ,  尼古拉斯·C·拉迪辛斯基 ,  杰森·J·亚奥 ,  埃里克·G·拉迪辛斯基

IPC: H10N60/01 ,  H10N60/85 ,  H10N60/82

Abstract: 本发明公开了各种技术和装置允许超导电路的制造。可形成包括超导螺柱通孔、动态电感器和电容器的超导集成电路。在超导集成电路中形成超导螺柱通孔可包括用硬掩模掩蔽以及用软掩模掩蔽。在超导集成电路中形成超导螺柱通孔可包括沉积介电蚀刻阻挡层。可通过电游标来测量超导集成电路的制造中的层间失准。可通过电游标链和惠斯登电桥来测量超导集成电路的制造中的层间失准。具有三个或更多个金属层的超导集成电路可包括封闭、匹配的片上传输线。

公开(公告)号：CN110462857A

公开(公告)日：2019-11-15

申请号：CN201880021010.X

申请日：2018-01-31

Applicant: D-波系统公司

Inventor： 黄水源 ,  比翁·H·奥 ,  道格拉斯·P·斯塔德特勒 ,  爱德华·G·斯特普卡 ,  保罗·I·布尼克 ,  杰德·D·惠特克 ,  法比奥·阿尔托马雷 ,  理查德·G·哈里斯 ,  科林·C·恩德鲁德 ,  洛伦·J·斯温森 ,  尼古拉斯·C·拉迪辛斯基 ,  杰森·J·亚奥 ,  埃里克·G·拉迪辛斯基

IPC: H01L39/24 ,  H01L39/12 ,  H01L39/06

Abstract: 本发明公开了各种技术和装置允许超导电路的制造。可形成包括超导螺柱通孔、动态电感器和电容器的超导集成电路。在超导集成电路中形成超导螺柱通孔可包括用硬掩模掩蔽以及用软掩模掩蔽。在超导集成电路中形成超导螺柱通孔可包括沉积介电蚀刻阻挡层。可通过电游标来测量超导集成电路的制造中的层间失准。可通过电游标链和惠斯登电桥来测量超导集成电路的制造中的层间失准。具有三个或更多个金属层的超导集成电路可包括封闭、匹配的片上传输线。可封装超导集成电路中的金属布线层。