公开(公告)号：CN108728824A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201810344382.8

申请日：2018-04-17

Applicant: ASM ,  IP控股有限公司

Inventor： T·J·V·布兰夸尔特

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/40 ,  C23C16/34 ,  C23C16/513

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/345 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/505 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/402 ,  C23C16/513

Abstract: 一种方法是通过等离子体辅助循环沉积来形成氮化物或氧化物膜，其一个循环包含：将第一反应物、第二反应物及前体馈送到放置有衬底的反应空间中，其中所述第二反应物以第一流量比流动，其中流量比定义为所述第二反应物的流动速率与所述反应空间中流动的气体的总流动速率的比率；以及停止馈送所述前体，而以从所述第一流量比逐渐降低至第二流量比的流量比连续地馈送所述第一反应物和所述第二反应物，同时对所述反应空间施加RF功率以使所述衬底暴露于等离子体。所述第二反应物是由含氢化合物或含氧化合物构成。

公开(公告)号：CN108728824B

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN201810344382.8

申请日：2018-04-17

Applicant: ASM IP控股有限公司

Inventor： T·J·V·布兰夸尔特

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/40 ,  C23C16/34 ,  C23C16/513

Abstract: 一种方法是通过等离子体辅助循环沉积来形成氮化物或氧化物膜，其一个循环包含：将第一反应物、第二反应物及前体馈送到放置有衬底的反应空间中，其中所述第二反应物以第一流量比流动，其中流量比定义为所述第二反应物的流动速率与所述反应空间中流动的气体的总流动速率的比率；以及停止馈送所述前体，而以从所述第一流量比逐渐降低至第二流量比的流量比连续地馈送所述第一反应物和所述第二反应物，同时对所述反应空间施加RF功率以使所述衬底暴露于等离子体。所述第二反应物是由含氢化合物或含氧化合物构成。

公开(公告)号：CN110670047A

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201910585357.3

申请日：2019-07-01

Applicant: ASM ,  IP控股有限公司

Inventor： T·J·V·布兰夸尔特

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/515 ,  C23C16/04 ,  H01L21/02

Abstract: 本公开涉及通过脉冲等离子体辅助沉积将无硅含碳膜沉积为间隙填充层的方法。本公开提供了一种在衬底的表面上填充图案化凹部的方法，包括：在反应空间中提供包括凹部的衬底；向所述反应空间提供无硅含碳前体，从而用气相前体填充所述凹部；以及向所述反应空间提供等离子体，从而在所述凹部中形成粘性材料，其中所述粘性材料在所述凹部中流动且在所述凹部的底部积聚，从而在所述凹部的所述底部形成沉积材料，且其中所述沉积材料凝固。通过使用烃前体的等离子体辅助沉积提供完全间隙填充，在不需要氮、氧或氢等离子体的条件下基本上不形成空隙，解决了现有技术中的一个或多个问题。