公开(公告)号：CN103620387B

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201280029296.9

申请日：2012-06-13

Applicant: 3M创新有限公司

Inventor： 姜明灿 ,  郝冰 ,  B·K·内尔森

IPC: G01N21/552

CPC classification number: G01N21/47 ,  G01N21/553

Abstract: 本发明提供了一种表面等离子体共振传感器元件，其包括薄金属层、光学构造和吸收层，所述光学构造设置在所述薄金属层上以用于引导光线至所述薄金属层以及离开所述薄金属层，所述吸收层设置在与所述光学构造相对的所述薄金属层上。所述吸收层包含具有内在微孔性的聚合物，所述聚合物具有至少0.4立方纳米的平均孔体积。

公开(公告)号：CN103620387A

公开(公告)日：2014-03-05

申请号：CN201280029296.9

申请日：2012-06-13

Applicant: 3M创新有限公司

Inventor： 姜明灿 ,  郝冰 ,  B·K·内尔森

IPC: G01N21/55

CPC classification number: G01N21/47 ,  G01N21/553

Abstract: 本发明提供了一种表面等离子体共振传感器元件，其包括薄金属层、光学构造和吸收层，所述光学构造设置在所述薄金属层上以用于引导光线至所述薄金属层以及离开所述薄金属层，所述吸收层设置在与所述光学构造相对的所述薄金属层上。所述吸收层包含具有内在微孔性的聚合物，所述聚合物具有至少0.4立方纳米的平均孔体积。