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公开(公告)号：CN109207414A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201811362852.X
申请日：2018-11-16
Applicant: 黑龙江八一农垦大学
Inventor： 晏磊 , 张爽 , 范欣欣 , 张玉 , 王伟东
IPC: C12N1/20 , C12R1/01
Abstract: 本发明涉及一种产磁小体铁氧化菌的培养方法，包括以下步骤：将产磁小体铁氧化菌接种到培养基中，发酵培养，培养温度为20-25℃。本发明除培养温度外还进一步考虑了培养基的成分、通氧量等参数对铁氧化菌磁小体产量的影响，最终实现了显著提高磁小体产率的目的。
