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发明公开
一种波导集成型光电探测器及其制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN116885032A

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN202310910166.6

申请日：2023-07-21

Applicant: 鹏城实验室

Inventor： 唐颖 , 王磊 , 曹子峥 , 贺志学

IPC: H01L31/109 , H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种波导集成型光电探测器及其制备方法。所述波导集成型光电探测器包括波导和范德华异质结；所述范德华异质结包括设置在所述波导一侧的p型二维半导体层、以及设置在所述p型二维半导体层背对所述波导一侧的n型二维半导体层。本发明中，电子和空穴的流动会在范德华异质结界面处形成电势突变而产生内建电场，该内建电场可作为无光照下器件中自由载流子运动的势垒，减小暗电流；同时也可加快光生载流子的分离，提升载流子提取率，进而提升光响应度和光响应速率。

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