公开(公告)号：CN117795603A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202280044952.6

申请日：2022-06-17

Applicant: 高通股份有限公司

Inventor： 陈潇 ,  C-J·谢 ,  S·松 ,  郑春明

IPC: G11C17/12 ,  H10B69/00

Abstract: 一种漏极编程只读存储器包括扩散区，该扩散区跨越位单元的宽度，并且形成第一晶体管和第二晶体管的漏极。邻近该扩散区的金属层中的位线引线跨该位单元的宽度延伸。第一通孔从该位线引线的上半部延伸，并且耦合到该第一晶体管的漏极。类似地，第二通孔从该位线的下半部延伸，并且耦合到该第二晶体管的漏极。

公开(公告)号：CN117461083A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202280040624.9

申请日：2022-06-20

Applicant: 高通股份有限公司

Inventor： 陈潇 ,  陈薄弘 ,  C-J·谢 ,  D·李 ,  郑春明 ,  A·保罗

IPC: G11C11/419 ,  G11C7/12 ,  G11C7/10

Abstract: 各种具体实施提供了用于将数据写入到存储器位单元的系统和方法。示例性具体实施包括写入电路，该写入电路通过正沟道金属氧化物半导体(PMOS)晶体管将位线和互补位线两者耦合到电源(VDD)。通过在适用节点处使用PMOS晶体管而非NMOS晶体管，此类具体实施可以避免VDD与这些位线之间的电压降，从而允许这些位线在适当时达到基本上全VDD电压电平。另外，各种具体实施避免了跨NMOS晶体管共享电荷的动态节点，从而允许给定位线在适当时达到基本上全VDD电压电平。因此，一些具体实施可以经历比其他具体实施更高水平的可写性和静态噪声容限。