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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102882473A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201210356500.X
申请日：2008-09-11
Applicant: 高通股份有限公司
IPC: H03D7/16
CPC classification number: H03D7/1441 , H03D7/1458 , H03D7/1466 , H03D2200/0043 , H03D2200/0047
Abstract: 本发明涉及用于无源混频器的偏移校正。一种下变频转换混频器包括可配置栅极或体偏压以允许校准及校正装置偏移。可对所述可配置偏压执行校准以最小化所述混频器中的IM2失真。所述技术对电压余量具有极小影响，不强加对信号路径与校准路径相位匹配的要求，且尤其非常适合于无源混频器。
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公开(公告)号：CN102882473B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201210356500.X
申请日：2008-09-11
Applicant: 高通股份有限公司
IPC: H03D7/16
CPC classification number: H03D7/1441 , H03D7/1458 , H03D7/1466 , H03D2200/0043 , H03D2200/0047
Abstract: 本发明涉及用于无源混频器的偏移校正。一种下变频转换混频器包括可配置栅极或体偏压以允许校准及校正装置偏移。可对所述可配置偏压执行校准以最小化所述混频器中的IM2失真。所述技术对电压余量具有极小影响，不强加对信号路径与校准路径相位匹配的要求，且尤其非常适合于无源混频器。
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公开(公告)号：CN101803179B
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN200880106358.5
申请日：2008-09-11
Applicant: 高通股份有限公司
IPC: H03D7/14
CPC classification number: H03D7/1441 , H03D7/1458 , H03D7/1466 , H03D2200/0043 , H03D2200/0047
Abstract: 一种下变频转换混频器包括可配置栅极或体偏压以允许校准及校正装置偏移。可对所述可配置偏压执行校准以最小化所述混频器中的IM2失真。所述技术对电压余量具有极小影响，不强加对信号路径与校准路径相位匹配的要求，且尤其非常适合于无源混频器。
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公开(公告)号：CN102257727A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200980151309.8
申请日：2009-12-21
Applicant: 高通股份有限公司
CPC classification number: H03F3/45183 , H03F1/307
Abstract: 本发明描述一种具有电阻式电平移位电路的AB类放大器。在一个示范性设计中，所述AB类放大器包括输入级、电阻式电平移位级、AB类输出级和偏压电路。所述输入级接收输入信号并提供第一驱动信号。所述电阻式电平移位级接收所述第一驱动信号并提供第二驱动信号。所述输出级接收所述第一和第二驱动信号并提供输出信号。所述偏压电路产生用于所述电阻式电平移位级的偏电压以获得用于所述输出级的所要静态电流。在一个示范性设计中，所述电阻式电平移位级包括晶体管和电阻器。所述晶体管接收所述偏电压并提供所述第二驱动信号。所述电阻器耦合到所述晶体管并提供在所述第一与第二驱动信号之间的电压降。
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公开(公告)号：CN101803179A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200880106358.5
申请日：2008-09-11
Applicant: 高通股份有限公司
IPC: H03D7/14
CPC classification number: H03D7/1441 , H03D7/1458 , H03D7/1466 , H03D2200/0043 , H03D2200/0047
Abstract: 一种下变频转换混频器包括可配置栅极或体偏压以允许校准及校正装置偏移。可对所述可配置偏压执行校准以最小化所述混频器中的IM2失真。所述技术对电压余量具有极小影响，不强加对信号路径与校准路径相位匹配的要求，且尤其非常适合于无源混频器。
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