公开(公告)号：CN101047130A

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200710000776.3

申请日：2007-01-19

Applicant: 高丽大学校算学协力团

Inventor： 金相植 ,  赵庚娥 ,  金东垣 ,  张宰源

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明涉及制造使用纳米颗粒的薄膜晶体管的方法以及通过该方法制造的薄膜晶体管。在衬底上沉积亲水性缓冲层，以促进纳米颗粒膜的形成。将烧结的纳米颗粒用作有源层，将高介电系数的介电材料用作栅极介电层，以在栅极介电层上形成顶栅电极，由此能够实现低电压运行和低温制造。

公开(公告)号：CN101047130B

公开(公告)日：2011-01-19

申请号：CN200710000776.3

申请日：2007-01-19

Applicant: 高丽大学校算学协力团

Inventor： 金相植 ,  赵庚娥 ,  金东垣 ,  张宰源

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明涉及制造使用纳米颗粒的薄膜晶体管的方法以及通过该方法制造的薄膜晶体管。在衬底上沉积亲水性缓冲层，以促进纳米颗粒膜的形成。将烧结的纳米颗粒用作有源层，将高介电系数的介电材料用作栅极介电层，以在栅极介电层上形成顶栅电极，由此能够实现低电压运行和低温制造。