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公开(公告)号：CN107112327B
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201580054847.0
申请日：2015-10-08
Applicant: 高丽大学教产学协力团世宗校区
IPC: H01L27/115 , H05H1/46
Abstract: 本发明公开一种利用中性粒子束发生装置的非挥发性存储薄膜器件的制造方法。本发明中的中性粒子束发生装置包括：腔室，具有规定大小的等离子体放电空间；气体供给口，用于供给上述腔室内的气体；以及反射器，通过与在上述腔室生成的等离子体离子进行碰撞，来将等离子体离子转换为中性粒子，本发明的利用中性粒子束发生装置的非挥发性存储薄膜器件的制造方法包括：将形成有第一绝缘膜的基板配置于上述腔室内的步骤：通过上述气体供给口向上述腔室内供给用于发生氢等离子体的氢气体及用于发生等离子体的非活性气体的步骤：通过使在上述腔室生成的氢等离子体离子与上述反射器进行碰撞，来转换为氢中性粒子的步骤：通过使上述氢中性粒子积累在上述第一绝缘膜的表面，来形成移动质子层的步骤：以及在上述移动质子层上形成第二绝缘膜的步骤。
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