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公开(公告)号：CN115108941B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202110307028.X
申请日：2021-03-23
Applicant: 香港城市大学深圳研究院
IPC: C07C255/42 , C07D215/12 , C09K11/06 , C08J5/18 , C08L33/12 , C08K5/29 , C08K5/3435 , G02F1/01
Abstract: 本发明公开了一种光学发色团化合物及含其的复合材料、薄膜和光电集成器件。该光学发色团化合物包括π‑电子给体基团和π‑电子受体基团，π‑电子给体基团由米氏碱或芳香米氏碱类化合物提供，π‑电子受体基团由7,7,8,8‑四氰基对苯二醌二甲烷(TCNQ)或其衍生物提供，两者直接通过碳碳双键连接共轭。本发明的生色团化合物兼具电光性能与热光性能。在1304nm，显示出较强的电光系数(r33)，22.1pm/V。在聚合物中添加8wt％生色团化合物，折射率随温度的变化是未添加生色团聚合物折射率变化的2倍以上。
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公开(公告)号：CN117247403A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202210651502.5
申请日：2022-06-10
Applicant: 香港城市大学深圳研究院
Abstract: 本发明公开了一种推拉型含硅不对称米氏碱衍生物的七甲川生色团化合物、复合材料、薄膜和光电集成器件。该生色团化合物以硅修饰的不对称米氏碱衍生物为π‑电子给体，不同基团修饰的六元环为共轭桥，氟代苯基甲基取代的三氰基呋喃(TCF)衍生物为π‑电子受体。通过调节电子给体的不对称性提高生色团掺杂浓度。当以对氟苯取代的三氰基呋喃(FP‑TCF)为π‑电子受体，以二苯基恶唑硫基修饰侧链时，电光系数最高，在1304nm的工作波长，M3FPPhON显示出最优的电光系数，当数浓度为1.6×1020mL‑1时，电光系数为135.6pm/V。
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公开(公告)号：CN115141193A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202110345549.4
申请日：2021-03-31
Applicant: 香港城市大学深圳研究院
IPC: C07D417/14 , C07D417/12 , C07D413/14 , C07D413/12 , C07D405/12 , C07D405/08 , C07D307/68 , C09K11/06 , C09K11/02
Abstract: 本发明公开了一种光学发色团化合物及含其的复合材料、薄膜和光电集成器件。该光学发色团化合物以费歇尔碱或米氏碱类化合物为π‑电子给体，三氰基呋喃(TCF)及其衍生物为π‑电子受体，给受体通过具有不同侧链修饰的共轭桥相连。本发明的生色团化合物与未经修饰的生色团化合物相比，序参数(Φ)由几乎为零升至0.1以上，超极化率(β)与电光系数(r33)最高增加3倍以上。在1304nm处，显示出很大的线性电光系数(r33)，数浓度为1.3×1020mL‑1时，对于M2‑SO2Ph，电光系数为73.3pm/V，是商用无机电光晶体铌酸锂的30pm//V两倍以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115677678B
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202110829120.2
申请日：2021-07-21
Applicant: 香港城市大学深圳研究院
IPC: C07D409/14 , C07D417/14 , C07D333/32 , C08L33/12 , C08K5/45 , C08J5/18 , G02F1/03
Abstract: 本发明公开了一种推拉型双(二烷氧基噻吩基)乙烯生色团化合物及含其的复合材料、薄膜和光电集成器件。该生色团化合物以N,N‑二烷基氨基苯为π‑电子给体，双(二烷氧基噻吩基)乙烯为共轭桥，不同吸电子能力的三氰基呋喃(TCF)衍生物、二氰基噻唑、二氰基茚酮或三氰基邻苯二甲酰胺为π‑电子受体。通过调节π‑电子受体的吸电子能力，对生色团的带隙进行调节；当以CF3‑TCF为π‑电子受体时，生色团的带隙最小，电光系数最高，在1304nm的工作波长，BTVCF3TCF显示出最优的电光系数，数浓度为1.0×1020mL‑1时，电光系数为59.8pm/V，是商用无机电光晶体铌酸锂的30pm/V两倍左右。
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公开(公告)号：CN115960093A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202111176852.2
申请日：2021-10-09
Applicant: 香港城市大学深圳研究院
IPC: C07D409/06 , C07F7/18 , C07D409/14 , C08L69/00 , C08K5/45 , C08K5/5475 , C08J5/18 , G02F1/061
Abstract: 本发明公开了一种光学发色团化合物及含其的复合材料、薄膜和光电集成器件。该光学发色团化合物以烷基苯胺噻吩类化合物为π‑电子给体，三氰基呋喃(TCF)及其衍生物为π‑电子受体，给受体通过具有不同侧链修饰的共轭桥相连。本发明的生色团化合物与未经修饰的生色团化合物相比，在1304nm处，显示出很大的线性电光系数(r33)和良好的光学透明性，数浓度为2.16×1020mL‑1时，对于ZJL‑8的极化聚合物薄膜，电光系数为75pm/V，是商用无机电光晶体铌酸锂的30pm//V两倍以上。
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公开(公告)号：CN115141193B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202110345549.4
申请日：2021-03-31
Applicant: 香港城市大学深圳研究院
IPC: C07D417/14 , C07D417/12 , C07D413/14 , C07D413/12 , C07D405/12 , C07D405/08 , C07D307/68 , C09K11/06 , C09K11/02
Abstract: 本发明公开了一种光学发色团化合物及含其的复合材料、薄膜和光电集成器件。该光学发色团化合物以费歇尔碱或米氏碱类化合物为π‑电子给体，三氰基呋喃(TCF)及其衍生物为π‑电子受体，给受体通过具有不同侧链修饰的共轭桥相连。本发明的生色团化合物与未经修饰的生色团化合物相比，序参数(Φ)由几乎为零升至0.1以上，超极化率(β)与电光系数(r33)最高增加3倍以上。在1304nm处，显示出很大的线性电光系数(r33)，数浓度为1.3×1020mL‑1时，对于M2‑SO2Ph，电光系数为73.3pm/V，是商用无机电光晶体铌酸锂的30pm//V两倍以上。
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公开(公告)号：CN115677678A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202110829120.2
申请日：2021-07-21
Applicant: 香港城市大学深圳研究院
IPC: C07D409/14 , C07D417/14 , C07D333/32 , C08L33/12 , C08K5/45 , C08J5/18 , G02F1/03
Abstract: 本发明公开了一种推拉型双(二烷氧基噻吩基)乙烯生色团化合物及含其的复合材料、薄膜和光电集成器件。该生色团化合物以N,N‑二烷基氨基苯为π‑电子给体，双(二烷氧基噻吩基)乙烯为共轭桥，不同吸电子能力的三氰基呋喃(TCF)衍生物、二氰基噻唑、二氰基茚酮或三氰基邻苯二甲酰胺为π‑电子受体。通过调节π‑电子受体的吸电子能力，对生色团的带隙进行调节；当以CF3‑TCF为π‑电子受体时，生色团的带隙最小，电光系数最高，在1304nm的工作波长，BTVCF3TCF显示出最优的电光系数，数浓度为1.0×1020mL‑1时，电光系数为59.8pm/V，是商用无机电光晶体铌酸锂的30pm/V两倍左右。
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公开(公告)号：CN115108941A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202110307028.X
申请日：2021-03-23
Applicant: 香港城市大学深圳研究院
IPC: C07C255/42 , C07D215/12 , C09K11/06 , C08J5/18 , C08L33/12 , C08K5/29 , C08K5/3435 , G02F1/01
Abstract: 本发明公开了一种光学发色团化合物及含其的复合材料、薄膜和光电集成器件。该光学发色团化合物包括π‑电子给体基团和π‑电子受体基团，π‑电子给体基团由米氏碱或芳香米氏碱类化合物提供，π‑电子受体基团由7,7,8,8‑四氰基对苯二醌二甲烷(TCNQ)或其衍生物提供，两者直接通过碳碳双键连接共轭。本发明的生色团化合物兼具电光性能与热光性能。在1304nm，显示出较强的电光系数(r33)，22.1pm/V。在聚合物中添加8wt％生色团化合物，折射率随温度的变化是未添加生色团聚合物折射率变化的2倍以上。
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