公开(公告)号：CN1240115C

公开(公告)日：2006-02-01

申请号：CN01806969.X

申请日：2001-03-20

Applicant: 飞索股份有限公司 ,  富士通株式会社

Inventor： 刘台凤 ,  小仓寿典

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/311 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/0206 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/823462

Abstract: 一种藉由减少去除光阻所致缺点以形成具有不同厚度的高品质氧化物层的方法。半导体基板接受反应性离子蚀刻。该半导体基板包括一晶圆(4)，一氧化物层(2)于该晶圆上，以及一包封光阻掩膜(8)于该氧化物层上。然后氧化物层(2)经蚀刻，而剩蚀的光阻掩膜(8)是于另一层氧化物层(14)生长于基板上之前被去除。