公开(公告)号：CN110062951B

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN201780076289.7

申请日：2017-12-18

Applicant: 韩国东海碳素株式会社

Inventor： 金桢一

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3213 ,  H01J49/10 ,  H01L21/56 ,  H01L21/67

Abstract: 根据本发明的一实施例，本发明提供具有包含SiC及C的复合体，在上述复合体中，Si:C原子比例为1:1.1至1:2.8的半导体制造用部件。

公开(公告)号：CN110062951A

公开(公告)日：2019-07-26

申请号：CN201780076289.7

申请日：2017-12-18

Applicant: 韩国东海碳素株式会社

Inventor： 金桢一

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3213 ,  H01J49/10 ,  H01L21/56 ,  H01L21/67

Abstract: 根据本发明的一实施例，本发明提供具有包含SiC及C的复合体，在上述复合体中，Si:C原子比例为1:1.1至1:2.8的半导体制造用部件。

公开(公告)号：CN110050326B

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN201780076234.6

申请日：2017-12-18

Applicant: 韩国东海碳素株式会社

Inventor： 金桢一 ,  金基源 ,  金锺贤

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01L21/205 ,  H01L21/324

Abstract: 本发明涉及利用在干式蚀刻工序中利用的半导体制造用部件，本发明的包括SiC蒸镀层的半导体制造用部件包括：母材；以及SiC蒸镀层，形成于上述母材表面，上述母材及SiC蒸镀层的厚度比例为2:1至100:1。

公开(公告)号：CN110050326A

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201780076234.6

申请日：2017-12-18

Applicant: 韩国东海碳素株式会社

Inventor： 金桢一 ,  金基源 ,  金锺贤

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01L21/205 ,  H01L21/324

Abstract: 本发明涉及利用在干式蚀刻工序中利用的半导体制造用部件，本发明的包括SiC蒸镀层的半导体制造用部件包括：母材；以及SiC蒸镀层，形成于上述母材表面，上述母材及SiC蒸镀层的厚度比例为2:1至100:1。