公开(公告)号：CN110050327B

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN201780076242.0

申请日：2017-12-18

Applicant: 韩国东海碳素株式会社

Inventor： 李相喆

IPC: H01L21/02 ,  H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及在干式蚀刻工序中，利用晶片等的基板来制造半导体组件的半导体制造用部件及其制造方法，本发明的包括覆盖层间边界的蒸镀层的半导体制造用部件包括：母材，包含碳；第一蒸镀层，形成于上述母材：第二蒸镀层，形成于上述第一蒸镀层；以及第三蒸镀层，以覆盖上述第一蒸镀层和上述第二蒸镀层之间的边界线的至少一部分的方式形成于上述第二蒸镀层。

公开(公告)号：CN110050327A

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201780076242.0

申请日：2017-12-18

Applicant: 韩国东海碳素株式会社

Inventor： 李相喆

IPC: H01L21/02 ,  H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及在干式蚀刻工序中，利用晶片等的基板来制造半导体组件的半导体制造用部件及其制造方法，本发明的包括覆盖层间边界的蒸镀层的半导体制造用部件包括：母材，包含碳；第一蒸镀层，形成于上述母材：第二蒸镀层，形成于上述第一蒸镀层；以及第三蒸镀层，以覆盖上述第一蒸镀层和上述第二蒸镀层之间的边界线的至少一部分的方式形成于上述第二蒸镀层。