公开(公告)号：CN109930130B

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN201811540454.2

申请日：2018-12-17

Applicant: 韩国东海碳素株式会社

Inventor： 曹东完

IPC: C23C16/32

Abstract: 本发明涉及包括不纯物含量特别小的TaC材料的制造方法及由此形成的TaC材料，根据本发明一个侧面的不纯物含量小的TaC材料的制造方法，包括：准备基材的步骤；及在所述基材的表面，在1600℃至2500℃的温度形成TaC涂层的步骤。

公开(公告)号：CN109153571B

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN201780023205.3

申请日：2017-05-24

Applicant: 韩国东海碳素株式会社

Inventor： 曹东完

IPC: C01B32/10 ,  C01B32/914 ,  C01G35/00 ,  H01L21/56 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明涉及碳化钽涂层碳材料，更具体地，涉及碳化钽涂层碳材料，其包括碳基体及碳化钽涂层面，形成在所述碳基体上，且将所述碳化钽涂层面的(111)面、(200)面、(220)面及(311)面的X‑线衍射峰作为主峰，所述峰中的所述(111)面的峰具有最大衍射强度。本发明可提供具有优秀的化学及物理耐性，且寿命被延长的碳化钽涂层碳材料。

公开(公告)号：CN109153571A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201780023205.3

申请日：2017-05-24

Applicant: 韩国东海碳素株式会社

Inventor： 曹东完

IPC: C01B32/10 ,  C01B32/914 ,  C01G35/00 ,  H01L21/56 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明涉及碳化钽涂层碳材料，更具体地，涉及碳化钽涂层碳材料，其包括碳基体及碳化钽涂层面，形成在所述碳基体上，且将所述碳化钽涂层面的(111)面、(200)面、(220)面及(311)面的X-线衍射峰作为主峰，所述峰中的所述(111)面的峰具有最大衍射强度。本发明可提供具有优秀的化学及物理耐性，且寿命被延长的碳化钽涂层碳材料。

公开(公告)号：CN109930130A

公开(公告)日：2019-06-25

申请号：CN201811540454.2

申请日：2018-12-17

Applicant: 韩国东海碳素株式会社

Inventor： 曹东完

IPC: C23C16/32

Abstract: 本发明涉及包括不纯物含量特别小的TaC材料的制造方法及由此形成的TaC材料，根据本发明一个侧面的不纯物含量小的TaC材料的制造方法，包括：准备基材的步骤；及在所述基材的表面，在1600℃至2500℃的温度形成TaC涂层的步骤。