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公开(公告)号：CN113981484A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111243708.6
申请日：2021-10-25
Applicant: 青海大学
IPC: C25B11/065 , C25B11/075 , C25B1/04
Abstract: 本发明公开了一种高纯金属相二硫化钼阵列/碳纤维布复合材料及其制备方法和应用。该制备方法将碳纤维布处理的有亲水性后，以三氧化钼和硫代乙酰胺为前驱体，在乙醇与去离子水的混合溶液中，在碳纤维布上原位生长高高纯金属相二硫化钼纳米片，碳纤维布作为导电基底材料具有高强度、高模量、高长径比、高化学稳定性以及优异的导电性，使二硫化钼有规律地生长在导电基底上是充分暴露其活性位点，提高其电催化性能的有效手段，最终得到高高纯金属相二硫化钼阵列与碳纤维布复合材料，整个制备方法简单。
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公开(公告)号：CN113980677A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111242351.X
申请日：2021-10-25
Applicant: 青海大学
IPC: C09K11/65 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , C01B21/082
Abstract: 本发明公开了一种g‑C3N4量子点及其制备方法，首先明通过水热法控制三聚氰胺的形貌，在水热反应中尿素的加入，使无规则颗粒状三聚氰胺的形貌转变为棒状三聚氰胺前驱体，然后具有这种特殊结构的三聚氰胺前驱体在空气中煅烧后得到含有大量g‑C3N4纤维的g‑C3N4粉末，最后通过细胞破碎仪超声破碎g‑C3N4纤维得到g‑C3N4量子点。该g‑C3N4量子点的制备和纯化过程简单、原料廉价易得，量子点易于分散在水溶液中，具有良好的荧光特性，在荧光传感器和光催化领域有着广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN110551909B
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201910943352.3
申请日：2019-09-30
Applicant: 青海大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米金刚石提高镁基复合材料导热性能的方法及镁基复合材料，该制备方法首先通过超声分散的方法使纳米金刚石在镁合金基体中的均匀分散，在真空热压烧结炉烧结球磨粉末，得到烧结坯，通过高温高压的处理，使得纳米级别下的金刚石活性增加，进而使得纳米金刚石与镁合金基体之间形成一层碳化物，从而提高界面结合强度，减少界面缺陷，从而提高界面热导率。该制备方法操作简单，易于实现，同时通过高温高压实现了纳米金刚石与镁合金基体之间的轻微的碳化反应。通过该方法制得的镁基复合材料，一方面金刚石颗粒增强的镁基复合材料获得了高的热导率，同时具有与半导体材料相匹配的低的热膨胀系数，具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN110551909A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201910943352.3
申请日：2019-09-30
Applicant: 青海大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米金刚石提高镁基复合材料导热性能的方法及镁基复合材料，该制备方法首先通过超声分散的方法使纳米金刚石在镁合金基体中的均匀分散，在真空热压烧结炉烧结球磨粉末，得到烧结坯，通过高温高压的处理，使得纳米级别下的金刚石活性增加，进而使得纳米金刚石与镁合金基体之间形成一层碳化物，从而提高界面结合强度，减少界面缺陷，从而提高界面热导率。该制备方法操作简单，易于实现，同时通过高温高压实现了纳米金刚石与镁合金基体之间的轻微的碳化反应。通过该方法制得的镁基复合材料，一方面金刚石颗粒增强的镁基复合材料获得了高的热导率，同时具有与半导体材料相匹配的低的热膨胀系数，具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN113981484B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202111243708.6
申请日：2021-10-25
Applicant: 青海大学
IPC: C25B11/065 , C25B11/075 , C25B1/04
Abstract: 本发明公开了一种高纯金属相二硫化钼阵列/碳纤维布复合材料及其制备方法和应用。该制备方法将碳纤维布处理的有亲水性后，以三氧化钼和硫代乙酰胺为前驱体，在乙醇与去离子水的混合溶液中，在碳纤维布上原位生长高高纯金属相二硫化钼纳米片，碳纤维布作为导电基底材料具有高强度、高模量、高长径比、高化学稳定性以及优异的导电性，使二硫化钼有规律地生长在导电基底上是充分暴露其活性位点，提高其电催化性能的有效手段，最终得到高高纯金属相二硫化钼阵列与碳纤维布复合材料，整个制备方法简单。
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