公开(公告)号：CN120018767A

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202510166303.9

申请日：2025-02-14

Applicant: 青岛哈尔滨工程大学创新发展中心

Inventor： 林建新 ,  李尚青 ,  张超云 ,  周晗 ,  张文智 ,  刘文仟 ,  陈恩华 ,  王晓亮 ,  黄一聪

IPC: H10N60/01 ,  H10N60/12

Abstract: 本发明公开了一种基于纳米激光直写曝光制备纳米线约瑟夫森结的方法，属于微纳米加工技术领域，在基底上沉积超导材料薄膜，在所述超导材料薄膜上均匀旋涂光刻胶，通过光刻曝光、显影，得到含有微桥和电极的光刻胶图案，通过首次刻蚀将所述光刻胶上的图案转移到所述超导材料薄膜上，形成微桥和电极结构，超声清洗，去除残留的光刻胶，在所述超导材料薄膜的图案上再次旋涂光刻胶，通过纳米激光直写光刻对覆盖在超导材料薄膜上的光刻胶进行再次曝光和再次显影，结合激光收缩控制对微桥进行微加工，最后通过再次刻蚀，将纳米线图案从光刻胶结构中转移到超导材料薄膜，形成纳米线约瑟夫森结。本发明通过纳米激光直写技术结合激光收缩控制，实现了纳米线约瑟夫森结的高精度制备。利用激光收缩控制技术，在微桥区域的两侧进行精确的纳米级激光直写，逐步收缩行程中间的纳米线结构。这一过程确保了纳米线的几何尺寸能够精确受控，从而满足特定器件设计需求。激光收缩的应用极大提高了纳米线形态的均匀性和一致性，避免了传统工艺中可能出现的尺寸偏差和不稳定性问题。