公开(公告)号：CN101536196A

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200780030477.2

申请日：2007-08-16

Applicant: 霆激技术有限公司

Inventor： 康学军 ,  陈震 ,  武田棋 ,  林卉敏 ,  袁述

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/22 ,  H01L33/405

Abstract: 一种提高发光二极管的外部光效率的方法，该方法包括蚀刻发光二极管的n型层的外部表面以形成表面纹理，所述表面纹理减小内部光反射以增大光输出。还公开相应的发光二极管。

公开(公告)号：CN101743619B

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN200880023028.X

申请日：2008-07-03

Applicant: 霆激技术有限公司

Inventor： 康学军 ,  袁述 ,  林卉敏 ,  林世鸣

IPC: H01L21/26 ,  H01L23/12 ,  H01L21/36 ,  H01L27/00

Abstract: 本发明公开了一种制造半导体器件的方法。该方法包括提供其上设有多个外延层的衬底以及在保持外延层完整的情况下将衬底与外延层分离。这种方式保留了这些外延层的电气、机械和光学特性。

公开(公告)号：CN101743619A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200880023028.X

申请日：2008-07-03

Applicant: 霆激技术有限公司

Inventor： 康学军 ,  袁述 ,  林卉敏 ,  林世鸣

IPC: H01L21/26 ,  H01L23/12 ,  H01L21/36 ,  H01L27/00

Abstract: 本发明公开了一种制造半导体器件的方法。该方法包括提供其上设有多个外延层的衬底以及在保持外延层完整的情况下将衬底与外延层分离。这种方式保留了这些外延层的电气、机械和光学特性。