一种具有电阻开关效应的BEFMO/ZnO复合异质结及其制备方法

    公开(公告)号:CN109192855B

    公开(公告)日:2022-05-13

    申请号:CN201811089163.6

    申请日:2018-09-18

    Abstract: 本发明提供一种具有电阻开关效应的BEFMO/ZnO复合异质结及其制备方法,包括复合在一起的下层膜和上层膜;下层膜化学式为ZnO,六角纤锌矿结构;上层膜化学式为Bi0.9Er0.1Fe0.99Mn0.01O3,扭曲的菱方钙钛矿结构,空间群R3c。制备方法包括以下步骤:制备ZnO前驱液;在FTO/Glass基板上旋涂ZnO前驱液,烘烤,退火得到晶态ZnO薄膜;制备BEFMO前驱液,在晶态ZnO薄膜上旋涂BEFMO前驱液,烘烤,退火,即得到BEFMO/ZnO复合异质结。本发明所述的BEFMO/ZnO复合异质结表现出很好的电阻开关效应。

    一种低漏电流的YDMCO薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN109576681B

    公开(公告)日:2021-01-08

    申请号:CN201811496649.1

    申请日:2018-12-07

    Abstract: 本发明提供一种低漏电流的YDMCO薄膜及其制备方法,化学式为Y1‑xDyxMn0.5Cr0.5O3,其中,0.1≤x≤0.5,六方结构,空间群为P63cm。本发明的Y1‑xDyxMn0.5Cr0.5O3薄膜是在YMnO3的A位掺杂稀土离子,B位掺杂过渡金属离子,实验证明Dy掺杂进入双棱锥结构的中间层和Cr掺杂抑制了Mn3+转变成Mn2+和Mn4+,最终使Y1‑xDyxMn0.5Cr0.5O3薄膜内部结构发生畸变,而六方结构的畸变导致薄膜的漏电流机制由欧姆机制和空间电荷机制共存转变为单一欧姆机制,最终降低了漏电流密度。

    一种具有电阻开关效应的BLSFMC/CMFO薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN109111127A

    公开(公告)日:2019-01-01

    申请号:CN201811088849.3

    申请日:2018-09-18

    Abstract: 本发明提供一种具有电阻开关效应的BLSFMC/CMFO薄膜及其制备方法,包括复合在一起的上层膜和底层膜;底层膜的化学式为Co1-xMnxFe2O4,其为扭曲的立方反尖晶石结构,空间群为Fd3m;上层膜的化学式为Bi0.79La0.18Sr0.03Fe0.94Mn0.04Co0.02O3,其为扭曲的菱方钙钛矿结构,空间群R3c;其中,x=0~0.8。采用溶胶凝胶法及层层退火工艺进行制备得到。本发明通过对BiFeO3薄膜进行掺杂提高了铁电性能,通过对BiFeO3薄膜复合CoFe2O4磁性层实现铁电极化调控的铁电/铁磁复合薄膜的电阻开关效应。

    一种具有电阻开关效应的BEFMO/ZCO复合异质结及其制备方法

    公开(公告)号:CN109133667B

    公开(公告)日:2021-09-21

    申请号:CN201811088060.8

    申请日:2018-09-18

    Abstract: 本发明提供一种具有电阻开关效应的BEFMO/ZCO复合异质结及其制备方法,包括复合在一起的下层膜和上层膜;下层膜化学式为ZCO,六角纤锌矿结构,x=0.01~0.09;上层膜化学式为Bi0.9Er0.1Fe0.99Mn0.01O3,扭曲的菱方钙钛矿结构,空间群R3c。本发明采用溶胶凝胶法,通过旋涂、退火的工艺制备得到。本发明BEFMO/ZCO复合异质结,是利用铁电极化调控阻变机制,引用氧化物半导体层构筑铁酸铋/氧化物半导体异质结,复合异质结具有电阻开关效应。

    一种具有电阻开关效应的BLSFMC/CMFO薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN109111127B

    公开(公告)日:2021-06-29

    申请号:CN201811088849.3

    申请日:2018-09-18

    Abstract: 本发明提供一种具有电阻开关效应的BLSFMC/CMFO薄膜及其制备方法,包括复合在一起的上层膜和底层膜;底层膜的化学式为Co1‑xMnxFe2O4,其为扭曲的立方反尖晶石结构,空间群为Fd3m;上层膜的化学式为Bi0.79La0.18Sr0.03Fe0.94Mn0.04Co0.02O3,其为扭曲的菱方钙钛矿结构,空间群R3c;其中,x=0~0.8。采用溶胶凝胶法及层层退火工艺进行制备得到。本发明通过对BiFeO3薄膜进行掺杂提高了铁电性能,通过对BiFeO3薄膜复合CoFe2O4磁性层实现铁电极化调控的铁电/铁磁复合薄膜的电阻开关效应。

    一种LaSrMnCo共掺铁酸铋超晶格薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN107021649B

    公开(公告)日:2019-06-07

    申请号:CN201710253946.2

    申请日:2017-04-18

    Abstract: 本发明提供了一种LaSrMnCo共掺铁酸铋超晶格薄膜及其制备方法,用晶体结构为三方结构,空间群为R3c:H和R3m:R共存的不同La浓度掺杂铁酸铋薄膜制备出Bi0.94La0.03Sr0.03Fe0.94Mn0.04Co0.02O3/Bi0.91La0.06Sr0.03Fe0.94Mn0.04Co0.02O3超晶格薄膜,即LaSrMnCo共掺铁酸铋超晶格薄膜。本发明采用溶胶凝胶工艺,并采用旋涂和层层退火法,设备要求简单,适宜在大的表面和形状不规则的表面上制备薄膜,且化学组分精确可控,可改善BiFeO3薄膜的多铁性能。

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