公开(公告)号：CN104561919B

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201410850475.X

申请日：2014-12-31

Applicant: 陕西科技大学

Inventor： 卢靖 ,  张亚宾 ,  曹丽云 ,  王勇 ,  闫婧文 ,  李永峰 ,  刘亚芹 ,  贺思彤 ,  王兴

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  C23C14/02 ,  B82Y40/00 ,  G01N27/12

Abstract: 一种CoTiO3纳米阵列湿敏薄膜制备方法，向氯化钴水溶液中加入TiCl3的盐酸溶液，得到混合溶液A；调节混合溶液A的pH值至6‑10，获得前驱体溶液B；将前驱体溶液B移入水热反应釜中，然后将清洗过的硅基片浸入其中反应，接着将将硅基片冲洗干净，在硅基片上得到薄膜C；将带有薄膜C的硅基片装于磁控溅射仪的样品台，采用Co2O3射频靶和TiO2射频靶进行磁控溅射，以在硅基片上形成薄膜D；将带有薄膜D的硅基片在600℃‑750℃保温，得到CoTiO3纳米阵列湿敏薄膜。该方法能够有效地调控薄膜的形貌，成膜性好，操作方便，生产周期短，效率高，适于工业生产，所制得的CoTiO3薄膜在室温下表现出优异的湿敏性，且响应恢复时间短。

公开(公告)号：CN104561919A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410850475.X

申请日：2014-12-31

Applicant: 陕西科技大学

Inventor： 卢靖 ,  张亚宾 ,  曹丽云 ,  王勇 ,  闫婧文 ,  李永峰 ,  刘亚芹 ,  贺思彤 ,  王兴

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  C23C14/02 ,  B82Y40/00 ,  G01N27/12

Abstract: 一种CoTiO3纳米阵列湿敏薄膜制备方法，向氯化钴水溶液中加入TiCl3的盐酸溶液，得到混合溶液A；调节混合溶液A的pH值至6-10，获得前驱体溶液B；将前驱体溶液B移入水热反应釜中，然后将清洗过的硅基片浸入其中反应，接着将硅基片冲洗干净，在硅基片上得到薄膜C；将带有薄膜C的硅基片装于磁控溅射仪的样品台，采用Co2O3射频靶和TiO2射频靶进行磁控溅射，以在硅基片上形成薄膜D；将带有薄膜D的硅基片在600℃-750℃保温，得到CoTiO3纳米阵列湿敏薄膜。该方法能够有效地调控薄膜的形貌，成膜性好，操作方便，生产周期短，效率高，适于工业生产，所制得的CoTiO3薄膜在室温下表现出优异的湿敏性，且响应恢复时间短。