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公开(公告)号：CN116845216A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310969335.3
申请日：2023-08-02
Applicant: 陕西科技大学
Abstract: 本发明公开了一种VS2/Bi2S3@C复合材料及其制备方法和应用，属于储能材料制备技术领域，通过简单的溶剂热法制得了VS2/Bi2S3复合材料，制得的VS2/Bi2S3复合材料结合了VS2较快的反应动力学以及Bi2S3较高的理论容量，再通过热处理在其表面包覆碳，有效缓解了体积膨胀，稳定了容量，从而提高了钾离子电池存储性能。制得的VS2/Bi2S3@C复合材料包括表面碳层与内部骨架，内部骨架由片层状VS2组成的纳米花状结构以及棒状Bi2S3结构交织而成。本发明的工艺简单，重复性高，制备周期短，反应温度低，成功率高，降低了能耗和生产成本，适合大规模生产制备。
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公开(公告)号：CN115818587A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211526436.5
申请日：2022-11-30
Applicant: 陕西科技大学
Abstract: 本发明公开了一种SiO2/SnSe/C复合材料及其制备方法，属于符合材料制备领域。通过采用一步溶剂热法在SiO2模板剂的表面生长了粒径均匀的硒化锡纳米颗粒，为了稳定其结构，提高其应用的潜力，又对其进行了碳包覆处理。得到的产物粒径均匀，包覆平整。由于其独特的球形纳米复合结构，预计其在电化学应用方面将会有较大的应用潜力。本发明公开的方法反应条件温和，易于实现，过程易控，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN114843464A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210422702.3
申请日：2022-04-21
Applicant: 陕西科技大学
Abstract: 本发明公开了一种三维交联结构SnSe/3D r‑GO复合材料及其制备方法和应用，利用简单的溶剂热法将SnSe与三维石墨烯结合，制备出三维胶联结构SnSe/3Dr‑GO复合材料，反应条件温和，实验设备简易，易于实现，三维石墨烯为硒化锡合金在电极发生的体积膨胀提供空间，有效抑制了合金类负极材料致体积膨胀的问题，并提高了电池的容量，在电化学储能方面尤其是作为钾离子电池负极材料可以表现出较好的性能。
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公开(公告)号：CN114890392B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202210642447.3
申请日：2022-06-08
Applicant: 陕西科技大学
IPC: C01B19/04 , C01B32/192 , C01B32/05 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01M4/62 , H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/587 , H01M10/054
Abstract: 本发明公开了一种碳包覆硒化锡复合胶联状三维石墨烯及其制备方法和应用，属于电化学储能技术领域，解决了碳材料作为钾离子电池的负极材料时，由于产生电极材料的体积膨胀，而导致钾离子电池在电化学性能差的技术问题。本发明公开的一种碳包覆硒化锡复合胶联状三维石墨烯的制备方法，通过溶剂热结合热处理法，将SnSe纳米颗粒均匀分布在碳包覆的胶联状三维石墨烯片层上，合成了具有SnSe/3Dr‑GO@C复合材料，其中3DGO的三维胶联状结构，使SnSe在钾离子脱嵌过程中缓解了其体积膨胀问题。制备得到的碳包覆硒化锡复合胶联状三维石墨烯作为钾离子电池负极材料时，表现出优异的电化学性能，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN115732640A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211527231.9
申请日：2022-11-30
Applicant: 陕西科技大学
Abstract: 本发明公开了一种三维网状石墨烯/泡沫镍/硒化锡自支撑材料及制备方法和应用，属于储能材料制备技术领域。使用三维网状石墨烯/泡沫镍为基体，乙二醇或甘油作为溶剂，无机锡盐作为Sn2+源；还原性溶剂将硒粉还原为Se2‑，Sn2+与Se2‑反应生成硒化锡，采用简单的溶剂热法结合热处理将三维网状石墨烯/泡沫镍与硒化锡结合，制备出三维网状石墨烯/泡沫镍/硒化锡自支撑材料。采用的制备工艺简单，重复性较高，制备成本低，对环境无污染，可以大规模生产。制得的三维网状石墨烯/泡沫镍/硒化锡自支撑材料具有高比容量和循环倍率，用做钠离子电池的负极材料时，可直接对其进行切片，不需要额外的涂膜过程，就能使得钠离子电池具有很好的电化学性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114507079B
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202210233761.6
申请日：2022-03-09
Applicant: 陕西科技大学
IPC: C04B35/80 , C04B35/10 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明提供一种莫来石纤维增强金属基复合陶瓷薄板及制备方法，通过将煅烧氧化铝、镁质土、纳米级熔融石英、独居石、膨润土、叶腊石、黑滑石、钾钠长石、铝粉和三聚磷酸钠混合后，进行球磨处理，得到混合粉体，经过制浆和喷雾造粒后得到坯体粉料；坯体粉料压制成型为陶瓷板状生坯，随后将陶瓷板状生坯进行烧结后，得到陶瓷薄板坯体，再将陶瓷薄板坯体经上釉、表面打磨和抛光后，得到莫来石纤维增强金属基复合陶瓷薄板。本发明的制备工艺简单，原料成本低廉，可应用于建筑装饰陶瓷、防护材料等商业领域。通过优化固相反应烧结制度，调控内部莫来石晶相析出速率及析出量，制备出的大规格陶瓷薄板力学性能优异，潜在商用市场广阔。
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公开(公告)号：CN115893331B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202211526439.9
申请日：2022-11-30
Applicant: 陕西科技大学
IPC: C01B19/04 , C01B32/05 , C01G19/02 , H01M4/36 , H01M4/48 , H01M4/58 , H01M4/62 , H01M10/054 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种SnSe/SnO2@C复合物及制备方法和应用，属于储能材料制备技术领域，以乙二醇或甘油作为溶剂，将无机锡盐作为Sn2+源；用还原性溶剂将硒粉还原为Se2‑，采用简单的溶剂热法将SnSe纳米颗粒与SnO2纳米颗粒均匀混合，外面包覆着完整的热解碳材料，制得了SnSe/SnO2@C复合物。本发明采用的制备方法简单，周期短，样品分散性好，导电性和结构稳定性高，该复合物作为钾离子电池负极材料，有较好的储钾性能，且SnSe/SnO2@C复合电极储钾过程存在赝电容效应，具有较大的研究价值。该复合材料作为光催化材料和电极材料，具有较好的光催化和电化学性能。
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公开(公告)号：CN117303332A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311218466.4
申请日：2023-09-20
Applicant: 陕西科技大学
Abstract: 本发明公开了一种具有辐射制冷性能的磷酸铝粉体材料及其制备方法，方法包括步骤：步骤1、按照铝离子、磷酸根离子和乙二醇的摩尔比2：(1～4)：(10～20)，称取氢氧化铝、磷酸铵和乙二醇，先将氢氧化铝和磷酸铵混合后放入研钵中，再向研钵中加入乙二醇，充分研磨后，然后抽滤和洗涤，得到混合物A；步骤2、将混合物A放入坩埚并置于马弗炉，先以3～5℃/min的升温速率自室温升温到200～280℃，再以5～8℃/min的升温速率到1000～1200℃，保温2～4h，得到产物B；步骤3、将产物B置于研钵中研磨后，过筛，得到磷酸铝粉体材料。本发明不仅制备方法简单，而且制备的磷酸铝粉体材料具有优异的辐射制冷性能。
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公开(公告)号：CN116282147B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202310105866.8
申请日：2023-02-13
Applicant: 陕西科技大学
Abstract: 本发明公开了一种Bi2S3/VS2/S复合材料及其制备方法和应用，属于储能材料制备技术领域，以Bi(NO3)3·5H2O和NH4VO3为原料，采用简单的溶剂热法制得了Bi2S3/VS2，通过热处理法将硫单质进一步原位生长在Bi2S3/VS2的表面，制备了Bi2S3/VS2/S复合材料，该复合材料中，VS2为片层状结构，片状结构有利于镁离子在层间进行脱嵌，Bi2S3作为一种半导体材料，具有高容量的优点，通过将两种材料进行复合，可以调节单一材料的物理化学特性，发挥不同组分的协同作用，两种组分之间的强相互作用还可以增强结构稳定性，改善材料的电荷转移动力学，硫单质还可以进一步为高容量奠定基础。整个制备方法简单，重复性高，制备周期短，反应温度低，降低了能耗和生产成本，适合大规模生产制备。
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公开(公告)号：CN116573670A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310411162.3
申请日：2023-04-17
Applicant: 陕西科技大学
Abstract: 本发明公开了一种钨掺杂VS2/S复合材料及其制备方法和应用，该方法包括：将钨源加完全溶解于水中；将偏钒酸铵加入到氨水中搅拌至没有沉淀物；将上述得到的溶液混合，并向其中加入表面活性剂，混合均匀后加入硫代乙酰胺得到混合溶液，将混合溶液转移至聚四氟乙烯反应釜中，后将反应釜置于均相反应仪中，在130～200℃充分反应15～24h，反应结束后随炉冷却至室温，得到红褐色的混合溶液G，清洗、干燥得到钨掺杂VS2/S粉体；采用管式炉再进行热处理最终得到黑色粉体即为钨掺杂VS2/S复合材料；采用简单的一步溶剂热法成功制备出在片层状VS2表面原位生长小尺寸的硫单质并掺杂钨的复合物，具有较好的钠离子存储性能，作为SIBs电极材料表现出优异的倍率性能和稳定性。
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