公开(公告)号：CN105453240A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201480043694.5

申请日：2014-07-31

Applicant: 阿尔发金属有限公司

Inventor： R·H·文卡塔吉瑞亚帕 ,  S·穆克吉 ,  H·H·斯达帕 ,  M·D·里巴斯 ,  S·萨卡尔 ,  B·思恩赫 ,  R·劳特

IPC: H01L21/48

CPC classification number: H01L24/81 ,  H01L21/563 ,  H01L22/12 ,  H01L23/293 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/13101 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81024 ,  H01L2224/81026 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81908 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/0133 ,  H05K3/284 ,  H05K3/3436 ,  H05K3/3489 ,  H05K2201/10734 ,  H05K2201/10977 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/00

Abstract: 用于半导体制造的双面加强(DSR)材料和方法。所述的DSR材料表现出传统的地步填充材料的性能同时具有在室温下的加强的稳定性。