公开(公告)号：CN1133153C

公开(公告)日：2003-12-31

申请号：CN00105981.5

申请日：2000-04-18

Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社

Inventor： 秋山透 ,  吉田良三

IPC: G11B5/23

Abstract: 在现有的磁头中，磁间隙部的间隙宽度取决于玻璃材料的厚度，其最小厚度为数十个微米，这样玻璃材料不能适合磁间隙部中间隙较小的场合。本发明的磁头在非磁性膜，以及与该非磁性膜的两面紧密接触的粘接层上形成磁间隙部，该磁间隙部夹持于构成前部芯的一对芯部之间，上述磁间隙部的间隙宽度可比按现有方式采用玻璃材料的宽度小，且获得高性能的磁头，上述非磁性膜厚度的选择范围灵活，可选择从数个微米单位到数百个微米的间隙宽度，上述非磁性膜由聚亚苯基硫醚，或聚酰亚胺形成，上述粘接层由环氧树脂形成。

公开(公告)号：CN1271926A

公开(公告)日：2000-11-01

申请号：CN00105981.5

申请日：2000-04-18

Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社

Inventor： 秋山透 ,  吉田良三

IPC: G11B5/127

Abstract: 在现有的磁头中,磁间隙部的间隙宽度取决于玻璃材料的厚度,其最小厚度为数十个微米,这样玻璃材料不能适合磁间隙部中间隙较小的场合。本发明的磁头在非磁性膜,以及与该非磁性膜的两面紧密接触的粘接层上形成磁间隙部,该磁间隙部夹持于构成前部芯的一对芯部之间,上述磁间隙部的间隙宽度可比按现有方式采用玻璃材料的宽度小,且获得高性能的磁头,上述非磁性厚度的选择范围灵活,可选择从数个微米单位到数百个微米的间隙宽度。